Occasion VARIAN E1000 #181223 à vendre en France

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ID: 181223
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1991
Implanter, 6" Gas Box: 4X(3.4L x $) Turbo Pump: Ion source, beamline Gas Bottle #1: Ar - High Pressure Gas Bottle # 2: BF3 - High Pressure Gas Bottle # 3: PH3 - High Pressure Gas Bottle # 4: AsH3 - High Pressure Auto set up: Yes Scan: Disc scan chamber Wafer handling: Bell jar, 6" Wafer clamp: DISC, 18 wafers Ion Source: Dula filament Accel tube: Yes HV Power Supply: Accel 1 and 2 Loadlock elevator: 3 sets Monitor: Operation and service +/- 7° with electrostatic bias ring, manual disc implant angle Manual disk implant angle Plasma flood gun and power supply: 1) Arc P/S: 40VDC, 10A Max, 2) Filament P/S: 8VDC, 75A Max CSR upgrade: 1) Does/spin/flip control PCB 2) Spin/scan/flip amplifier Ar beam implant available Installed in clean room 1991 vintage.
VARIAN E1000 est un implant ionique et un moniteur couramment utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. VARIAN E-1000 est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des procédés de fabrication de semi-conducteurs, et est très efficace dans l'implantation dopante et le contrôle du faisceau d'ions. E 1000 utilise les dernières innovations en matière de source de faisceau, d'optique magnétique et électrostatique, et de profileurs de faisceau, ce qui permet à l'équipement de fournir un degré élevé de précision et de précision pour l'implantation de dopants et d'autres opérations. E-1000 utilise un système unique de dispersion de faisceau qui crée des fractions d'ions variables pour le mélange de faisceaux d'ions flexibles, ce qui améliore le contrôle des processus. De plus, la grande chambre à poutre E1000 permet un balayage rapide et un débit élevé ainsi qu'un entretien peu coûteux. Le flux de travail optimisé de la VARIAN E 1000 permet de fournir des profils de dopage de haute qualité et des taux de rendement améliorés. Les moniteurs de position de faisceau avancés, les moniteurs de courant de faisceau sophistiqués et les options de balayage en temps réel fournissent également des profils dopants fiables et cohérents. Supplémentairement, VARIAN E1000 utilise des chambres d'implantation multiples pour l'implantation d'ion simultanée et trans-sectioning, en optimisant le processus en minimisant le temps de sonde et en bas le temps. L'unité dispose d'une machine brevetée d'analyse sous vide, qui améliore la stabilité de la pression et maximise l'uniformité et les performances du faisceau. En outre, VARIAN E-1000 dispose également d'un outil de numérisation numérique, offrant des capacités de polarisation et de contrôle avancées pour les courants de faisceau plus faibles et une uniformité d'irradiation améliorée. En plus de ses nombreuses fonctionnalités, E 1000 dispose également de contrôles logiciels sophistiqués, y compris un atout de visualisation complet, une interface utilisateur complète, et un ensemble complet d'analyse de données. Ces composants logiciels fournissent aux utilisateurs les capacités de contrôle et d'analyse nécessaires pour surveiller chaque étape du processus d'implantation. En résumé, E-1000 dispose d'une gamme de fonctionnalités avancées et de capacités logicielles qui offrent des installations de fabrication de semi-conducteurs d'une précision et d'une précision inégalées pour l'implantation de dopants, ainsi qu'un contrôle inégalé des processus et une optimisation des rendements.
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