Occasion VARIAN E1000HP #9232479 à vendre en France

ID: 9232479
Taille de la plaquette: 8"
High current implanter, 8" Enhance type Carriage motor type: N6 Motor Turbo (VT250) end station pump High-pressure gas EDWARDS QDP80 Terminal dry pump EDWARDS QDP80 Chamber dry pump VARIAN V1800 Source turbo pump (4) CTI 250F Chamber cryo pumps Chamber cryo pump option Main power / Frequency: 280 PD / 208 PD Auto top utility supply Type: PFG Cusp source assy Type: Hook site Y2K Completion Hi-voltage probe Signal tower Energy: Operational: 2 ~ 200 keV B+: 10~200 keV, As+ P+: 40~200 keV Stability: ±10% After warm up Dopant species: 11B+, 49BF₂+, 75As+, 31P+, 121Sb+ Implant dose accuracy: Specification range: 5E11-5E16 Uniformity (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.5% Repeatability (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.7% Wafer charge neutralization: Plasma flood gun with interlocks on current Gas flow rate & beam spot size Wafer handling: Horizontal loading Slot-to-slot integrity Backside pick and place (75) Wafer loads (3) Independent vacuum load locks Dummy wafer handling capability Throughput: Mechanical Limit/30 sec implant at 7° tilt 1D Profiler (Wafer per hour): 230 / 210 Wafers per disc: 18 / 13 Process angles: Tilt: +7 / -7° Twist: 0°-360° ±2° Automatic recipe control Wafer cooling: ≤100° C at 3000 Watts Wafer breaks: 1:20,000 Particulate control: ≥0.2 um Particles ≤0.15 Added per cm² (Mean value) Utility: N2: 50~100 psi Size: 3/8" NPT Air: 90~125 psi Size: 3/8" NPT PCW: 40~100 psi (In/Out) Size: 3/4" NPT Temperature: 10~20° C Exhaust: Toxic: 34000 PVC, 5" (2) PVC, 8" NW40 Power: 460/445/415/380 V, 65/70/75/80 kVA, 3 Phase, 4 wires.
VARIAN E1000HP est un implant et moniteur ionique conçu pour fournir des services d'implantation ionique précis et fiables à l'industrie des semi-conducteurs. VARIAN E1000 HP est un système très précis, entièrement automatisé qui peut traiter une variété de substrats dont Si et SiGe. Il est conçu pour permettre un contrôle très précis de la quantité de doses d'ions, de l'angle du faisceau et de l'énergie ionique pendant le processus d'implantation. E-1000 HP est équipé d'une source d'ions qui peut produire des faisceaux d'ions de diverses énergies. Il dispose également d'une chambre à vide capable de résister à des taux de pression élevés, ce qui la rend adaptée à une variété de techniques d'implantation. La chambre comporte une zone cible fermée qui est protégée contre l'exposition au faisceau, ce qui peut endommager la surface cible. Le système dispose également d'un moniteur avancé de faisceau d'ions qui est capable de mesurer la position du faisceau, la taille, le courant, et un réseau de paramètres de faisceau qui permettent l'optimisation du processus d'implantation. Il comprend également un positionneur haut monté qui permet aux utilisateurs de placer avec précision le substrat dans la région cible. En outre, E1000HP contient un générateur RF fiable capable de produire à la fois une puissance basse et haute fréquence pour l'accélération ionique. Il a également une lentille de focalisation avancée qui est capable de maintenir une taille constante du faisceau d'ions. En outre, l'unité est équipée d'une source RF haute puissance et d'un moniteur dédié qui permettent aux utilisateurs de contrôler l'énergie du faisceau et de surveiller la quantité de dosage ionique. Enfin, E1000 HP est conçu pour fournir des performances et une cohérence fiables. Il est construit avec des caractéristiques de sécurité avancées qui aident à protéger contre l'exposition aux rayonnements et à assurer la sécurité des opérateurs pendant le processus d'implantation. Le système est également facile à configurer et à utiliser, ce qui le rend idéal pour un large éventail d'applications.
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