Occasion VARIAN E1000HP #9232479 à vendre en France
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ID: 9232479
Taille de la plaquette: 8"
High current implanter, 8"
Enhance type
Carriage motor type: N6 Motor
Turbo (VT250) end station pump
High-pressure gas
EDWARDS QDP80 Terminal dry pump
EDWARDS QDP80 Chamber dry pump
VARIAN V1800 Source turbo pump
(4) CTI 250F Chamber cryo pumps
Chamber cryo pump option
Main power / Frequency: 280 PD / 208 PD
Auto top utility supply
Type: PFG
Cusp source assy
Type: Hook site
Y2K Completion
Hi-voltage probe
Signal tower
Energy:
Operational: 2 ~ 200 keV
B+: 10~200 keV, As+
P+: 40~200 keV
Stability: ±10% After warm up
Dopant species: 11B+, 49BF₂+, 75As+, 31P+, 121Sb+
Implant dose accuracy:
Specification range: 5E11-5E16
Uniformity (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.5%
Repeatability (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.7%
Wafer charge neutralization:
Plasma flood gun with interlocks on current
Gas flow rate & beam spot size
Wafer handling:
Horizontal loading
Slot-to-slot integrity
Backside pick and place
(75) Wafer loads
(3) Independent vacuum load locks
Dummy wafer handling capability
Throughput:
Mechanical Limit/30 sec implant at 7° tilt
1D Profiler (Wafer per hour): 230 / 210
Wafers per disc: 18 / 13
Process angles:
Tilt: +7 / -7°
Twist: 0°-360° ±2°
Automatic recipe control
Wafer cooling: ≤100° C at 3000 Watts
Wafer breaks: 1:20,000
Particulate control:
≥0.2 um Particles
≤0.15 Added per cm² (Mean value)
Utility:
N2: 50~100 psi
Size: 3/8" NPT
Air: 90~125 psi
Size: 3/8" NPT
PCW: 40~100 psi (In/Out)
Size: 3/4" NPT
Temperature: 10~20° C
Exhaust:
Toxic: 34000
PVC, 5"
(2) PVC, 8"
NW40
Power: 460/445/415/380 V, 65/70/75/80 kVA, 3 Phase, 4 wires.
VARIAN E1000HP est un implant et moniteur ionique conçu pour fournir des services d'implantation ionique précis et fiables à l'industrie des semi-conducteurs. VARIAN E1000 HP est un système très précis, entièrement automatisé qui peut traiter une variété de substrats dont Si et SiGe. Il est conçu pour permettre un contrôle très précis de la quantité de doses d'ions, de l'angle du faisceau et de l'énergie ionique pendant le processus d'implantation. E-1000 HP est équipé d'une source d'ions qui peut produire des faisceaux d'ions de diverses énergies. Il dispose également d'une chambre à vide capable de résister à des taux de pression élevés, ce qui la rend adaptée à une variété de techniques d'implantation. La chambre comporte une zone cible fermée qui est protégée contre l'exposition au faisceau, ce qui peut endommager la surface cible. Le système dispose également d'un moniteur avancé de faisceau d'ions qui est capable de mesurer la position du faisceau, la taille, le courant, et un réseau de paramètres de faisceau qui permettent l'optimisation du processus d'implantation. Il comprend également un positionneur haut monté qui permet aux utilisateurs de placer avec précision le substrat dans la région cible. En outre, E1000HP contient un générateur RF fiable capable de produire à la fois une puissance basse et haute fréquence pour l'accélération ionique. Il a également une lentille de focalisation avancée qui est capable de maintenir une taille constante du faisceau d'ions. En outre, l'unité est équipée d'une source RF haute puissance et d'un moniteur dédié qui permettent aux utilisateurs de contrôler l'énergie du faisceau et de surveiller la quantité de dosage ionique. Enfin, E1000 HP est conçu pour fournir des performances et une cohérence fiables. Il est construit avec des caractéristiques de sécurité avancées qui aident à protéger contre l'exposition aux rayonnements et à assurer la sécurité des opérateurs pendant le processus d'implantation. Le système est également facile à configurer et à utiliser, ce qui le rend idéal pour un large éventail d'applications.
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