Occasion GIGAPHOTON G41K3 #293755892 à vendre en France

Le laser GIGAPHOTON G41K3 est un équipement laser excimère de pointe conçu pour des applications avancées de lithographie à semi-conducteurs. Développé par GIGAPHOTON, un fournisseur leader de sources lumineuses pour l'industrie des semi-conducteurs, G41K3 offre des performances élevées, la fiabilité et la précision dans la fourniture de l'énergie laser nécessaire pour les processus de lithographie des semi-conducteurs. Au cœur du laser GIGAPHOTON G41K3 se trouve une technologie avancée de laser excimère qui utilise une décharge gazeuse pour générer de la lumière ultraviolette profonde (DUV) à une longueur d'onde de 248 nanomètres (nm). Cette lumière DUV est essentielle pour la photolithographie, un procédé clé dans la fabrication des semi-conducteurs qui consiste à orienter les circuits des dispositifs semi-conducteurs sur des plaquettes de silicium. G41K3 laser fournit les impulsions de haute énergie requises de la lumière DUV avec une stabilité et une cohérence exceptionnelles, assurant l'exposition précise et précise des matériaux photorésistants sur la plaquette. Le système laser GIGAPHOTON G41K3 comprend plusieurs composants clés, dont la chambre laser, l'unité de traitement laser des gaz, l'optique, l'électronique de commande et l'alimentation électrique. La chambre laser abrite le mélange gazeux, typiquement une combinaison de gaz nobles tels que le krypton et le fluor, qui est excité par une décharge électrique pour générer la lumière DUV. La machine laser de traitement des gaz contrôle le débit et la composition du mélange de gaz pour maintenir une performance laser optimale et la stabilité. L'optique d'outil à laser G41K3 joue un rôle critique dans la formation et la livraison du rayon laser à l'outil de lithographie de semi-conducteur. L'optique comprend des composants tels que des homogénéisateurs de faisceau, des amplificateurs de faisceau, des miroirs et des lentilles qui sont soigneusement conçus et alignés pour assurer la focalisation précise et l'uniformité du faisceau laser sur la plaquette. L'électronique de commande et l'alimentation électrique gèrent le fonctionnement de l'actif laser, y compris les paramètres de surveillance tels que l'énergie impulsionnelle, la durée des impulsions, le taux de répétition et la qualité du faisceau pour obtenir les résultats de lithographie souhaités. L'une des principales caractéristiques du laser GIGAPHOTON G41K3 est son énergie d'impulsion élevée et ses capacités de vitesse de répétition. Le laser est capable de délivrer des énergies impulsionnelles allant jusqu'à plusieurs centaines de millijoules avec des vitesses de répétition allant de quelques hertz à des centaines de kilohertz. Cette haute énergie de pouls et taux de répétition permettent au laser G41K3 de satisfaire les besoins de débit exigeants de processus de fabrication de semi-conducteur modernes, où l'exposition rapide et le fait de modeler de couches multiples sur une gaufrette sont essentiels pour la production de haut volume. En plus de ses capacités de haute performance, le laser GIGAPHOTON G41K3 est conçu pour la fiabilité et la stabilité à long terme dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs. Le modèle laser est conçu avec des composants robustes, des fonctions de surveillance et de diagnostic avancées et des mécanismes de sécurité intégrés pour assurer un fonctionnement uniforme et sans problèmes sur de longues périodes. GIGAPHOTON fournit aussi le service complet et les options de soutien de maintenir et optimiser la performance d'équipement à laser G41K3 partout dans son lifecycle. Globalement, le laser GIGAPHOTON G41K3 représente une solution de pointe pour la lithographie semi-conductrice, offrant la précision, la fiabilité et les performances requises pour les procédés avancés de fabrication de semi-conducteurs. Grâce à sa technologie laser excimère de pointe, à ses hautes capacités d'énergie impulsionnelle et de vitesse de répétition, et à sa conception robuste, G41K3 système laser est bien adapté pour permettre le développement et la production de dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération avec des caractéristiques de plus en plus petites et des niveaux d'intégration plus élevés.