Occasion SVG / PERKIN ELMER / ASML 551 HT #9377427 à vendre en France
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SVG/PERKIN ELMER/ASML 551 HT masque aligner est un outil utilisé dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs et de nanotechnologies. Il utilise une combinaison de photolithographie et d'alignement de précision pour permettre la gravure de circuits et de caractéristiques sur le substrat. La machine est capable de fournir une précision d'alignement inférieure à 1 µm et peut traiter des tailles de substrat allant de 5 "à 8" de diamètre ainsi que des tailles de puce jusqu'à 12 ". Au cœur, l'alignement du masque est composé de deux sous-systèmes de base : les étages, qui sont chargés de positionner avec précision les substrats et les masques l'un par rapport à l'autre ; et la source lumineuse, qui est responsable de l'exposition de la résine photosensible sur les substrats. Les étages sont composés de deux étages de traduction linéaire X-Y (ou « tables ») qui sont reliés à deux étages rotatifs. Les deux étages rotatifs tournent dans un plan XY avec une précision de 0,007 degrés. Les étages linéaires X-Y déplacent les substrats et les masques en trois dimensions avec une précision répétable supérieure à 1 µm. En outre, les étages ont un système de levage de plaquettes qui est conçu pour maintenir les substrats en place pendant le processus d'exposition. La source lumineuse est un système de projection photomasque capable d'éclairer la résine photosensible avec jusqu'à 245nm de lumière ultraviolette (UV-C). La source lumineuse a programmable l'intensité UV-C et le temps d'exposition, permettant un contrôle fin du processus d'exposition. SVG 551 HT est un outil polyvalent pour la fabrication d'appareils. Avec ses étages très précis et sa source lumineuse puissante, le masque aligneur est capable de créer des tailles de fonctionnalités jusqu'à quelques microns. Il peut également être utilisé pour créer des masques de lithographie standard, ainsi que des dispositifs semi-conducteurs, tels que des circuits logiques numériques, des puces mémoire et des transistors nano-échelle.
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