Occasion OXFORD VG 80 #9121715 à vendre en France

OXFORD VG 80 est un équipement à haute performance d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) pour la croissance de structures semi-conductrices composées III-V. Utilisant des technologies avancées, il est conçu spécialement pour le dépôt de matériaux spécialisés avec un contrôle précis de l'épaisseur de la couche, du niveau de dopage, de la composition et de l'interface. Le système comprend deux composants principaux : la chambre source et la chambre de croissance. La chambre source est équipée de cellules d'effusion de classe MBE, de pistolets ioniques, d'obturateurs et d'autres composants. Ces composants optimisés à ultra-haute dépression délivrent un flux de vapeur extrêmement précis pour contrôler la qualité du dépôt sur le substrat. En utilisant plusieurs sources, les utilisateurs peuvent obtenir un contrôle de haut niveau de la composition des couches et du dopage pour les matériaux personnalisés. Le deuxième composant de l'unité est la chambre de croissance, qui se compose d'un plateau à haute température avec une plage de température de 300 ° C-900 ° C et une machine sophistiquée de manutention automatisée de substrat. Cet outil permet de surveiller la croissance in situ des couches minces et des microstructures. En outre, un actif RHEED précis est disponible et permet aux utilisateurs de suivre la croissance des films en temps réel. Le modèle est également équipé d'un équipement Load Lock pour l'introduction d'échantillons dans la chambre à vide. Cela garantit des procédures de chargement et de déchargement des échantillons lisses et efficaces. En conclusion, VG 80 est une plate-forme polyvalente pour la croissance de structures et de matériaux à semi-conducteurs composés III-V optimisés. Ses composants permettent un contrôle précis des propriétés des matériaux, permettant ainsi aux utilisateurs de créer des matériaux spécialisés adaptés à leurs besoins exacts. À ce titre, le système OXFORD VG 80 est un outil précieux pour les chercheurs de l'industrie des semi-conducteurs.