Occasion RIBER 302 #9153863 à vendre en France

La technique d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une méthode de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et de photovoltaïques. Il permet aux ingénieurs et aux scientifiques de contrôler la structure moléculaire d'un matériau à couche mince au niveau atomique. L'équipement RIBER 302 MBE est une machine de dépôt moderne utilisée pour créer des couches physiques de matériaux à utiliser dans les dispositifs semi-conducteurs modernes. 302 système MBE fonctionne dans une chambre à vide, nécessitant un haut niveau de contrôle de processus. À l'intérieur de la chambre à vide se trouve un support de substrat qui contient un certain nombre de sources matérielles, y compris des cellules d'effusion moléculaire, des bateaux à quartz et des évaporateurs à faisceau d'électrons. De plus, l'unité RIBER 302 MBE comprend un certain nombre de sources de gaz, telles que l'hydrogène, l'argon, l'azote et l'oxygène. Cela permet d'effectuer des processus réactionnels complexes pendant le processus de dépôt. Le processus de dépôt commence par une seule couche d'atomes activée par le porte-substrat. La source moléculaire est ensuite balayée sur le substrat à une vitesse d'environ 1 mm/s. Un faisceau de molécules est dirigé sur la surface du substrat, et les molécules adhèrent et forment une couche mince de film. Une fois la première couche réalisée avec succès, une deuxième couche est déposée au-dessus de celle-ci. Ce procédé est répété pour former la structure matérielle désirée. Le plus souvent, le nombre de couches déposées dépend du matériau spécifique et de ses caractéristiques à obtenir. 302 MBE machine est un dispositif crucial pour les concepteurs d'outils pour créer des dispositifs semi-conducteurs avancés de haute qualité et photovoltaïque. L'actif est équipé d'une source RF-sputter, qui permet le dépôt de métaux sur des plaquettes semi-conductrices. Cela permet une plus grande ténacité et de meilleures performances dans une variété d'appareils. De plus, le modèle RIBER 302 MBE est équipé d'un interféromètre laser qui permet de mesurer l'épaisseur des couches de matériau lors de la réalisation d'une structure gravée. L'équipement peut également être utilisé en tandem avec un spectromètre à émission optique, qui est utilisé pour assurer la pureté des couches minces. 302 MBE est un instrument extrêmement précis et complexe conçu pour la fabrication et la conception de dispositifs semi-conducteurs. Il permet aux ingénieurs d'expérimenter divers matériaux et de former des structures parfaites au niveau atomique. En outre, l'unité est équipée d'une gamme de sources de gaz et de matériaux, ce qui permet d'effectuer des processus de réaction plus complexes pendant le processus de dépôt. En fin de compte, la machine RIBER 302 MBE permet la fabrication efficace de dispositifs semi-conducteurs avancés de haute qualité et photovoltaïques.