Occasion RIBER 32 #9227851 à vendre en France
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Vendu
ID: 9227851
Molecular beam epitaxy (MBE) system
GaN
Sources:
(6) Solid sources (Ga, Al, Mg, Eu, Er, Si)
Shutter control
SVTA RF 4.5 N2 Source
Shutter: N2
Auto-tuning
Water cooling
Ion removal power supply
Gas cabinet:
Up to (3) gas source controls
PFEIFFER Cube
MFC / Valve control
Alarm indication
Power supplies / Vacuum gauges:
Temperature control
Vacuum gauges
Shutter control
Cell / Substrate heater power supplies
RHEED
Cryo pump control
Ti sublimator
Substrate rotation
Load lock:
(4) Wafers, 2"
Soption pump / Mechanical pump station
Cryo pump CTI
RGA
Bake-out control
Ion pump
Gas purifier:
N2 purifier: <100 ppt
Liquid N2 delivery system
Computer:
Recipe editing
Source / Substrate temperature control
RGA
Vacuum
Base pressure: Main chamber
Sources:
Plasma: 600 W
HT source: Al, Ga. Er, Si, Eu
Dopant source: Eu, Mg.
Epitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technique utilisée pour développer des couches minces de haute qualité de matériau sur un substrat. RIBER 32 est un type d'équipement MBE qui est utilisé pour produire des couches minces et de haute qualité de matériaux semi-conducteurs, tels que des composés III-V et II-VI. 32 est équipé à la fois de sources thermiques et atomiques de matériaux, et est capable de développer des couches à une gamme de températures allant de la pièce à l'ultra-haut vide. RIBER 32 est composé d'une chambre semi-fermée à ultra-haut vide (UHV), qui contient un évaporateur à faisceau d'électrons, un chauffe-filet, et plusieurs microscopes électroniques. L'évaporateur est utilisé pour vaporiser le matériau provenant de sources solides, telles qu'une source à l'état solide, et des chauffages filets sont utilisés pour chauffer le matériau à la température requise. Les microscopes électroniques sont utilisés pour observer et analyser les couches au fur et à mesure de leur croissance. Le système est conçu pour fournir un niveau de vide extrêmement élevé (typiquement entre 10-6 et 10-8 torr), un environnement extrêmement propre, un contrôle précis de la température et des couches minces très uniformes. La chambre UHV est équipée de systèmes de diagnostic in situ (ESCA et XRD) et de manomètres de capacité pour un contrôle précis des paramètres de l'unité. 32 peuvent produire des couches minces de haute qualité de nombreux matériaux semi-conducteurs, y compris des nitrures, des oxydes, des nitrures/oxydes et d'autres alliages complexes. La machine peut fonctionner à n'importe quelle température, de la température ambiante à l'ultra-haute dépression (UHV). Il est capable d'assurer une homogénéité supérieure de l'épaisseur du film sur la zone de croissance et des propriétés très homogènes des films déposés. En outre, RIBER 32 est équipé d'un outil de faisceau atomique (ABS) pour permettre la croissance de surfaces atomiquement lisses idéales pour des applications telles que les OLED émettrices de lumière et les guides optiques. L'ABS capture les molécules du matériau cible et focalise un faisceau sur les substrats pour contrôler activement la présence de contaminants et les conditions de croissance. Ses performances supérieures et sa grande fiabilité en font un choix idéal pour la croissance de couches minces de nombreux matériaux semi-conducteurs. Il offre également un faible coût et une productivité accrue en faisant un outil clé dans la recherche et la fabrication de films minces pour l'électronique moderne.
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