Occasion RIBER 32P #293628041 à vendre en France

ID: 293628041
Molecular Beam Epitaxy (MBE) System II-VI Growth system with load lock Cryo pump Ion pump Titanium sublimation pump (3) Sorption pumps (9) Effusion cell ports Flux monitor Ion gauge controller RIBER Microcontroller Enhanced power substrate heater power supply Cell power supply Includes: MBE Spares Manuals Missing parts: Compressor Lines for cryo pump.
RIBER 32P est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) conçu pour le dépôt en couches minces. MBE est basé sur le concept de dépôt de monocouches de matériaux sur une surface de substrat dans un environnement sous vide. Ce procédé favorise l'auto-assemblage d'atomes, de molécules et de nanostructures, permettant la production de matériaux en couches minces de qualité supérieure. 32P Le système MBE est une unité à vide élevé, capable d'atteindre des pressions de 10E-9millibar, et envoie des faisceaux d'atomes à travers des ouvertures pour permettre un contrôle précis de la vitesse de dépôt, de l'énergie du faisceau et de la zone de dépôt. Ceci permet de déposer une large gamme de couches minces, y compris des supraconducteurs à haute température, des matériaux optiquement actifs, des semi-conducteurs et des conducteurs transparents. RIBER 32P contient six cellules d'effusion, capables de distribuer des atomes à des températures comprises entre 300 et 1000 ° K, ce qui donne une recette optimale pour déposer des matériaux stoechiométriques (combinaison ciblée de différents éléments). La section four de 32P permet un contrôle thermique du substrat, permettant de chauffer et/ou de refroidir des échantillons de tailles différentes, de 25mmsquare à 5inchesquare, selon la plage de température souhaitée. Ceci permet le dépôt de plusieurs couches de matériau sur le substrat, avec un haut degré de contrôle et de précision. RIBER 32P contient également un dispositif de surveillance optique et de diagnostic permettant une analyse en temps réel du processus de dépôt. Cela comprend une microbalance quartz-cristal couplée à un analyseur de gaz résiduel, permettant des mesures d'épaisseur de gaz et de film, ainsi qu'un spectromètre de masse quadrapolaire et une spectroscopie optique d'émission, ce qui permet d'observer en temps réel l'environnement chimique au sein de la machine MBE. La sortie de ces systèmes peut alors être introduite dans un outil de contrôle MBE, permettant un contrôle informatique complet du procédé. Globalement, 32P est un MBE-actif complet, capable de produire des films minces de haute qualité avec des propriétés supérieures. L'environnement à vide élevé, associé à des systèmes de surveillance sophistiqués, permet de contrôler étroitement le processus de dépôt et d'affiner le matériau utilisé. Cela garantit des dépôts de haute précision, avec une reproductibilité fiable sur des opérations répétées.
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