Occasion RIBER 32P #9309553 à vendre en France

L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une méthode de synthèse et de dépôt de couches minces sur un substrat. L'équipement RIBER 32P est un système MBE haute performance conçu pour fournir des couches épitaxiales (films) avec une épaisseur précise, une excellente cristallinité, et de faibles défauts. L'unité est composée de plusieurs composants dont une chambre à vide élevé, une cellule d'effusion, une pompe turbomoléculaire, un obturateur, des obturateurs des matériaux sources, et une chambre de transfert à vide ultrahighter (UHV). La chambre à vide sert de zone pour le porte-substrat, tandis que la cellule d'effusion sert à évaporer les matériaux sources. Le matériau source est ensuite transporté et déposé sur le substrat par la pompe turbomoléculaire. Une fois le dépôt terminé, l'obturateur peut être utilisé pour isoler le substrat de la chambre. Les autres volets peuvent être utilisés pour libérer du matériau source supplémentaire dans la chambre à vide. La chambre de transfert UHV fournit également un environnement d'isolement pour transporter de manière fiable les substrats dans et hors de l'environnement à vide élevé et peut être scellé de façon sûre pour protéger la couche épitaxiale croissante avec un environnement gazeux avec une pression partielle de 10-9 mbar. La machine comprend également des composants supplémentaires tels qu'un outil de diffraction d'électrons à haute énergie (RHEED) refroidi à l'azote liquide par réflexion sur l'axe, un outil automatisé de sécurité d'interception, des capacités de spectroscopie optique, des éléments de chauffage et de refroidissement pour manipuler avec précision les températures, un programme de contrôle dynamique de la pression, un modèle de contrôle informatique et d'acquisition de données, et un équipement de contrôle manuel. Le système RHEED se compose d'un canon à électrons et d'un détecteur pour surveiller la cristallinité du substrat et de la couche épitaxiale croissante en temps réel. Les capacités de spectroscopie optique permettent aux utilisateurs d'étudier diverses propriétés de la couche épitaxiale telles que l'absorption et la réflectivité. Les éléments de chauffage et de refroidissement peuvent manipuler avec précision des températures allant de -40 ° C à + 900 ° C Le régulateur de pression dynamique est utilisé pour maintenir stable la pression dans la chambre à vide. La machine de contrôle informatique et d'acquisition de données assure la surveillance et le contrôle des outils en temps réel. Enfin, l'actif de contrôle manuel permet aux utilisateurs de mieux contrôler les paramètres du modèle. En conclusion, 32P équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est un système multifonctionnel avancé qui permet une croissance précise des couches épitaxiées avec une excellente cristallinité, une faible teneur en défauts et une épaisseur de précision. Ses composants supplémentaires fournissent aux utilisateurs des capacités de contrôle et de surveillance accrues, ce qui en fait une unité polyvalente pour la synthèse et le dépôt de couches épitaxiales.