Occasion RIBER 49 #9307797 à vendre en France

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ID: 9307797
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2001
Molecular beam epitaxy system, 8" Materials: Indium, GaAs, Aluminum Operated with programmable shutter controller Max substrate temperature: 1000°C Manipulator: LN2 Cooled As and Sb Crackers included (16) Supplies for cells (3) Prep chamber heater and manipulator (3-4) Spare controllers (2) Ports: 3"-6" 7"-8" 2001 vintage.
L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technique utilisée pour faire pousser des couches de composés ou d'atomes sur une surface de substrat afin de former des interfaces de haute qualité avec des propriétés électroniques et optoélectroniques. RIBER 49 est un équipement MBE de pointe conçu pour produire des couches épitaxiées de haute qualité de manière polyvalente et économique. Le système est capable de dépôt multi-sources, permettant le dépôt de divers matériaux de jusqu'à 10 sources indépendantes. Ceci permet le dépôt de matériaux très complexes tels que des alliages complexes, des superlattices et des nanostructures. L'unité est équipée d'une gamme de sources, y compris des sources à haut rendement pour le dépôt rapide, des sources de résonance cyclotron électronique pour le dépôt à haute température et des sources à ultra basse pression pour le dépôt à ultra-haut vide. De plus, 49 est capable de fonctionner à une plage de températures de substrat, ce qui permet d'optimiser l'adaptation des réseaux et des techniques de croissance plus complexes. La machine est équipée d'un outil de surveillance en temps réel, qui permet de contrôler la température et la pression et d'optimiser les paramètres du processus en temps réel. Pour assurer la qualité de la croissance, la chambre d'échantillonnage est équipée d'un actif avancé d'injection de gaz qui permet l'introduction de gaz ultra-purs pour la croissance à haute température. Cela permet un meilleur contrôle de l'oxydation de surface et d'autres effets environnementaux. De plus, le modèle est équipé d'une gamme d'outils de diagnostic, tels qu'un microscope optique, un profileur à clivage de coin, une spectroscopie de masse ionique secondaire et une microcopie à balayage électronique. Ceux-ci peuvent être utilisés pour suivre la croissance, permettant d'améliorer les paramètres de dépôt en temps réel. RIBER 49 permet un dépôt extrêmement précis de couches épitaxiales de haute qualité. Il offre une haute performance, flexibilité et rentabilité, ce qui le rend idéal pour les laboratoires de recherche et les universités. Avec son large éventail de caractéristiques et de capacités, 49 peut être utilisé pour une variété d'applications de recherche et de fabrication et peut fournir une qualité de croissance inégalée pour une variété de besoins d'application.
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