Occasion RIBER 49 #9383825 à vendre en France
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ID: 9383825
Molecular Beam Epitaxy (MBE) System
Growth chamber
Cryopanel
Platen manipulator
Motorized beam flux gauge
Inspection viewports and shutters
Bakeout assembly
Transfer gate valve
CT 10 Secondary pumping system
PF6 TITANIMUM Sublimation pumping system
Cold finger
Isolation gate valve
Secondary vacuum measurement system
Primary vacuum measurement system
Roughing system
Buffer chamber (Shuttle/Outgassing) equipment
Outgassing station: 400°C
Loading chamber equipment
Unloading chamber equipment
Residual gas analyzer, 1-200 amu
RHEED System, 12 KeV
Screen and shutter
Controller:
System control and network package
PC
FCA Parts
Sources:
(2) ABI 1000 Gallium effusion cells
ABI 1000 Indium effusion cell
(2) ABN 700 DF Aluminum effusion cells
VAC 6000 Arsenic valved cracker cell
(2) ABN 160 D Silicon dopant cells
ABN 160 D Beryllium dopant celll
KPC 1200 Phosphorus valved cracker cell
Phosphorus recovery assembly
(10) Source shutter assemblies
(6) CF200/CF150 Dismountable source cooling panels
CF200/CF150 Indium dismountable source cooling panel
(3) CF150/CF100 Dismountable source cooling panels
Accessories:
Pyrometer pneumatic
(5) Molybdenum platens, 3x4"
(5) Molybdenum platens, 5x3"
Molybdenum platen, 5x3" Plus, 2"
(5) Molybdenum platens, 6"
Ion pumping system
Cryopanel lifting beam
Adjustment tools for cell shutters
Modline 7 V Pyrometer
Non-contact Infrared thermometer
Gaskets
(2) Crucibles with spare kit for ABI 1000 cell (Ga)
(2) Inserts with spare kit for ABI 1000 cell (Ga)
Crucible for ABN 700 DF (Al).
L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technique avancée de croissance de couches minces dans laquelle le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt physique en phase vapeur (PVD) est utilisé pour créer des couches minces sur une surface de plaquettes. RIBER 49 est une machine MBE automatisée de pointe conçue pour une croissance rentable de films ultra-minces. 49 utilise la technologie « Reflective Interference Enhanced » (RIE), qui minimise l'inhomogénéité du taux de dépôt tout en maintenant la température du substrat stable. RIBER 49 offre une capacité multi-sources et comprend deux cellules d'effusion, une source de plasma radiofréquence (RF) et une source de faisceau d'ions analysée en masse. En utilisant la capacité multi-sources de 49, une large gamme de composés peut être cultivée. RIBER 49 dispose également d'un chauffage de substrat jusqu'à 500 ° C et d'un système de vide intégré pour le processus de croissance. Le blindage de la 49 assure une sécurité environnementale et électrique optimale, avec une chambre à vide conçue pour éliminer la pollution de l'air et maintenir la contamination des échantillons en dessous des niveaux acceptables. RIBER 49 comprend également un système avancé de suivi des processus en temps réel qui fournit un retour d'information en temps réel et permet un ajustement flexible des paramètres de dépôt. 49 est équipé d'une interface tactile qui permet l'accès à distance et l'analyse des données pour suivre le processus de croissance. RIBER 49 offre une excellente croissance cristalline à basse température de substrat, offrant la possibilité de développer une large gamme de structures cristallines. Les capacités multi-sources et la basse température de fonctionnement permettent le dépôt d'un large éventail de matériaux tels que les oxydes, les nitrures et les métaux pour former des hétérostructures aux caractéristiques interfaciales contrôlées. 49 est un système MBE polyvalent qui permet aux chercheurs de déposer des films minces avec des performances optimales et une grande uniformité sur une variété de substrats. Les basses températures du substrat et la compatibilité multi-sources permettent la croissance de différentes structures cristallines, permettant aux chercheurs de mieux comprendre la nature des nanostructures. RIBER 49 fournit également la capacité de surveiller le processus en temps réel, permettant une optimisation rapide du processus. Ainsi, 49 fournit une solution puissante pour les chercheurs dans la poursuite des dernières avancées dans la recherche de matériaux et de dispositifs.
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