Occasion RIBER 49NT #9103304 à vendre en France

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ID: 9103304
Style Vintage: 2000
MBE growth chamber, 4" 4" x 4" Multi-wafer 49NT Growth chamber: GaAs based MBE (3) Cryopanels: main, manipulator, pumping well Cell dividers Contains residual arsenide deposition inside Ports have been blanked off with CF blank flanges (4) Valved arsenic sources: (3) VAS2000 + (1) VAC2000 Ion pump: Riber, 900 L/s (bake-out shroud) Ion pump: Riber, 400 L/s Turbo pumping system: Alcatel Drytel 100 Turbo pump: Alcatel 5030CP 2000 vintage.
RIBER 49NT est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) conçu pour la recherche et le développement de matériaux et dispositifs semi-conducteurs. C'est un système de dépôt au niveau moléculaire qui dépose des atomes un à un sur une surface de substrat pour former des couches minces de matériau cristallin. L'unité est composée de sources de dépôt, d'une machine d'obturation automatisée et d'une source de plasma RF. L'outil comporte deux modules contenant deux types différents de cellules d'effusion pour déposer plusieurs produits simultanément. Le composant principal est composé de quatre cellules de Knudsen (cellules K) pour le dépôt séquentiel de Ga et Al qui servent de blocs constitutifs pour les matériaux semi-conducteurs du groupe III-V. Le second module contient deux cellules de Knudsen (cellules C) où sont déposés Te, Sb et In pour la formation d'alliages et alliages de type II-IV. Un moyen automatisé d'obturation RF est prévu pour contrôler les obturateurs pour le dépôt des matériaux III-V et II-IV dans toute séquence souhaitée. Une source de plasma RF haute pression aide à réduire la pression de base et à améliorer la qualité du cristal. Un modèle de surveillance de la croissance cristalline in situ est intégré à l'équipement. Un AFM, qui est monté dans la chambre, est utilisé pour surveiller la croissance interne du cristal à des fins de contrôle de la qualité. Le système permet également de contrôler l'orientation cristalline (eulérienne) lors de la croissance cristalline. De plus, l'emballage fournit une unité d'échappement pour la caractérisation thermique, optique, optique et électrique de l'échantillon. La machine est conçue pour fonctionner sous un vide ultra-élevé avec une pression de base < 5 x10-11 Torr. La plage de température de l'outil est comprise entre RT et 1000˚C ; un chauffage à ultra-haut vide à chambre eff aide à atteindre des températures allant jusqu'à 1000˚C. L'actif est également équipé d'un bras robotique utilisé pour transférer des plaquettes entre modules. 49NT est utilisé dans une variété d'industries dans lesquelles les matériaux et dispositifs semi-conducteurs doivent être développés et étudiés. Il s'agit d'un outil essentiel pour les projets de recherche et de développement et est considéré comme l'un des systèmes MBE les plus avancés sur le marché.
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