Occasion VARIAN / INTEVAC GEN II #9168496 à vendre en France

L'équipement VARIAN/INTEVAC GEN II d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est un outil puissant et polyvalent pour le dépôt de couches minces aux propriétés bien définies. Il est conçu pour générer des structures cristallines uniques à l'échelle nanométrique pour des applications avancées de dispositifs. Le système VARIAN GEN II MBE utilise la technologie du faisceau moléculaire et offre une large gamme de sources de gaz et d'énergies de faisceau pour la croissance de divers matériaux, y compris des composés traditionnels et exotiques. INTEVAC GEN II MBE est conçu pour accueillir jusqu'à six sources, dont quatre sources de pulvérisation magnétron à courant continu. Chaque source magnétron peut être chargée de divers matériaux tels que des métaux, des isolants et des composés semi-conducteurs. De plus, l'unité comporte deux sources de type faisceau qui conviennent à des matériaux plus exotiques, tels que le phosphure d'indium. Chaque source peut également être exploitée sur une large plage d'énergie, de 50 à 150 eV, pour permettre un contrôle optimal de la vitesse de dépôt et de la qualité du matériau. La machine GEN II MBE dispose d'un outil de transport de substrat rapide et flexible pouvant accueillir jusqu'à douze substrats de 2 pouces de diamètre. De plus, l'actif peut contenir jusqu'à quatre substrats de 3 pouces de diamètre pour des applications de dépôt à grande surface. VARIAN/INTEVAC GEN II MBE est conçu pour fournir un contrôle de croissance de haute précision couplé à une interface utilisateur avancée. Le modèle peut permettre un contrôle précis de la vitesse et de l'épaisseur de la couche ainsi que de la composition et de la texture de la couche déposée. En plus de ses capacités MBE, VARIAN GEN II MBE comprend également une suite de caractérisation en ligne de pointe. Cette suite permet l'analyse et l'évaluation de couches minces grâce à diverses techniques, dont la diffraction des rayons X (XRD), la microscopie à force atomique (AFM) et la microscopie électronique à balayage (SEM), ainsi que des mesures de propriétés électriques. L'équipement INTEVAC GEN II MBE offre un outil puissant pour la fabrication d'appareils et de structures de pointe avec une précision à l'échelle nanométrique, associée à des capacités de caractérisation avancées. La combinaison de ces caractéristiques rend le système MBE GEN II adapté à une variété de recherches et d'applications commerciales, en particulier celles impliquant des couches ultra-minces.