Occasion VARIAN / VEECO GEN 200 #9093517 à vendre en France

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ID: 9093517
Taille de la plaquette: 2" - 4"
MBE growth system, 2" - 4" Cluster tool Growth chamber Loadlock Prep / degas module Storage module Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption) Spare cryo panel Solid State Sources Layout: (3) Gallium SUMO (3) Aluminum (2 SUMO + 1 Conical) (1) Nitrogen plasma source with turbo pump (1) Arsenic valved cracker, MARK V (1) Phosphorus valved cracker (1) Indium SUMO (1) Silicon + CBr 4-gas line Growth chamber: UHV ultra high vacuum chamber Accepts up to 4x4”, 7x3”, 13x2” substrates Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption) Water cooled split-panel (ports area) Pyrometer Flux meter RHEED 30kV Quadruple mass spectrometer Growth Chamber Pump System: Ion pump (800 l/s) Turbo Pump (830l/s) Cryo Pump CT-10 Scroll-Pump Titanium sublimation pump Cluster Tool: Cryo Pump Quadruple mass spectrometer Loadlock: (8) Platens Cryo Pump Lamp Heating up to 120°C Platens: 7 x 3", 14 x 2" Does not require LN2 phase separator Documentation available Gas delivery line: Port 7 Gas dopant: CBr4 Materials (MBE grade): Aluminium Gallium Indium Silicon CBr4 Arsenic Phosphorous Nitrogen Substrates: GaAs.
VARIAN/VEECO GEN 200 est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) utilisé pour la fabrication de structures de dispositifs semi-conducteurs. Il s'agit d'un système modulaire multi-zones à basse température qui offre un environnement ultra-haut vide contrôlé par l'atmosphère pour le dépôt précis de films épitaxiés hautement contrôlés. L'unité manipule et transporte des faisceaux atomiques ou moléculaires de précurseurs et de sources dopantes évaporés par la chaleur vers une plaquette de substrat, qui peut être chauffée ou refroidie selon le matériau de dépôt. Ceci permet un dépôt de haute qualité de matériaux jusqu'au niveau atomique ou moléculaire avec une très faible incorporation involontaire d'impuretés. Les composants principaux de la machine VEECO GEN 200 sont la chambre d'épitaxie du faisceau moléculaire, qui fournit le vide ultra-élevé, et la source chimique et la journée d'effusion. La chambre à vide utilise deux chambres distinctes ; une pour la manutention des plaquettes et une pour le dépôt des plaquettes. Le jour de la source et de l'effusion contient des sources thermiques pour le dépôt ternaire, quaternaire et pentenry et sont équipés d'obturateurs pour un contrôle précis et précis des dépôts. Un outil rotatif multi-niveaux pour chaque source assure les conditions de dépôt souhaitées. Un actif de chauffage électronique intégré ainsi qu'un modèle de refroidissement automatisé des plaquettes permettent de chauffer ou de refroidir les substrats selon le matériau déposé. L'équipement VARIAN GEN 200 dispose d'un logiciel d'automatisation robuste avec des modes de fonctionnement manuel/automatique pour la manutention des plaquettes. Il fournit un contrôle précis sur chaque processus MBE, y compris le paramétrage, l'enregistrement et l'enregistrement. L'ingénierie logicielle permet des recettes personnalisées, un traitement plus efficace et une meilleure analyse des données. Il peut également être interfacé avec un contrôleur externe pour des fonctionnalités supplémentaires telles que le chargement de plaquettes, la source thermique, le refroidissement, la commande d'obturateur, et la rétroaction automatique et le contrôle de la vitesse de dépôt. Le système GEN 200 fournit des procédés de dépôt et de fabrication fiables et précis. Son atmosphère sous vide ultra-haute assure un dépôt très contrôlé des films épitaxiés avec un contrôle précis de la température, de la vitesse maximale de dépôt, de l'uniformité et du profil du matériau déposé, et une incorporation non intentionnelle minimale des impuretés. Cette unité simplifie les processus d'épitaxie du faisceau moléculaire, ce qui en fait l'un des systèmes les plus efficaces et les plus fiables pour la fabrication de dispositifs.
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