Occasion VARIAN / VEECO GEN II #9225866 à vendre en France

VARIAN/VEECO GEN II est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), qui est utilisé pour la production de films minces monocristallins de haute précision de semi-conducteurs composés avec une pureté supérieure et un contrôle à l'échelle atomique de l'épaisseur du film. VEECO GEN II est équipé de deux cellules d'effusion - l'une pour les éléments du groupe III et l'autre pour le groupe V. Les cellules sont montées sur un manipulateur à trois axes pour optimiser la température et le flux du substrat. Le substrat est chauffé à une température allant jusqu'à 750 ° C, tandis qu'un obturateur est utilisé pour interrompre le flux des cellules d'effusion indépendantes du manipulateur. Le système est également équipé d'une unité de diffraction électronique à haute énergie de réflexion (RHEED) qui permet d'optimiser le débit de flux en vol et la géométrie. Cela permet un meilleur suivi de la croissance et assure une meilleure qualité du produit final. De plus, VARIAN GEN II possède une source d'ions à faible énergie qui aide à réduire les défauts du film. Le GEN II dispose également d'un four à vide quadruple qui permet une croissance efficace du film tout en maintenant un environnement vide propre et ultra-élevé. Les quatre chambres sont reliées par des ports de serrure à une chambre de dégazage sous vide. Cette chambre est alors reliée à une combinaison pompe turbomoléculaire et pompe turbo-traînée, qui fournit l'environnement à vide ultra-élevé nécessaire à la croissance du matériau. VARIAN/VEECO GEN II fournit également une large gamme d'autres composants, tels qu'un analyseur de gaz résiduel, une source de plasma à résonance cyclotron à micro-ondes et un évaporateur annulaire à double faisceau. Dans l'ensemble, la machine VEECO GEN II MBE offre une combinaison unique de flexibilité et de contrôle pour soutenir la production efficace de couches minces semi-conductrices homogènes de haute qualité avec des propriétés structurelles et électriques supérieures. Il est très apprécié pour sa capacité à maintenir un outil de contrôle en boucle fermée, permettant une croissance précise et cohérente des films et l'uniformité des matériaux semi-conducteurs développés.