Occasion VARIAN / VEECO GEN II #9257205 à vendre en France

VARIAN/VEECO GEN II est un type d'équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) utilisé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Ce système utilise un environnement à vide élevé pour créer un faisceau de particules qui peut être manipulé pour produire des couches extrêmement minces de matériau semi-conducteur. L'unité peut être utilisée pour créer de petites couches précises qui sont utilisées dans la construction de dispositifs tels que transistors et cellules solaires. VEECO GEN II se compose d'une structure d'ordinateur central qui abrite deux grandes sources de dépôt - également connues sous le nom de cellules d'effusion. Ces cellules sont utilisées pour créer les faisceaux moléculaires qui servent à déposer une couche de matériau sur une surface de substrat (l'objet étant revêtu). Les sources de dépôt peuvent être chauffées à des températures très élevées afin de créer des faisceaux de molécules à haute température. VARIAN GEN II dispose d'une machine de pompage qui fait fonctionner une pompe moléculaire turbo de sorte que le vide à l'intérieur de l'ordinateur central est maintenu à un niveau très bas (moins de 10-6 mbar). C'est une caractéristique importante pour assurer une bonne homogénéité du matériau de dépôt. L'outil se compose également de plusieurs autres composants tels qu'un mécanisme de direction de poutre, un obturateur, un contrôleur et une aube de canon ; tous ceux qui sont utilisés pour aider à manipuler le faisceau de molécules et le diriger vers le substrat désiré. L'aube du canon permet à l'actif d'atteindre les angles dirigés requis. L'obturateur contrôle la vitesse du faisceau et peut être réglé pour modifier la vitesse de dépôt. Le modèle est également équipé d'un poste de surveillance et de contrôle informatisé. Cette station est utilisée pour surveiller les conditions à l'intérieur de l'ordinateur central telles que le niveau de vide et la température des sources de dépôt. Cette station a également la capacité de contrôler les paramètres de l'équipement tels que le débit du faisceau, les niveaux de chauffage des sources de dépôt, et la vitesse d'obturation du faisceau. GEN II est le système parfait pour la fabrication de couches délicates, petites et précises de matériaux semi-conducteurs. La souplesse de l'unité et sa vitesse de dépôt rapide lui permettent de créer des couches peu épaisses en nanomètres. La précision et la qualité de ces couches est la clé de la construction réussie des dispositifs semi-conducteurs modernes utilisés aujourd'hui.