Occasion VEECO GEN 2000 #9281809 à vendre en France

Un VEECO GEN 2000 est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), principalement utilisé pour la croissance de couches minces de matériaux semi-conducteurs. Le système se compose de plusieurs composants tels qu'une chambre, des sources de dépôt, un obturateur, des alimentations électriques, des pompes à vide et un contrôleur informatique. La chambre est en acier inoxydable avec une pression de vide rugueuse entre 10-5 et 10-7 Torr et une pression de travail de 10-8 à 5x10-10 Torr. Il a été conçu pour assurer des films de haute qualité et des dépôts de couches homogènes. L'unité est livrée avec trois types de sources de dépôt, à savoir l'évaporation thermique, l'évaporation du faisceau d'électrons et l'épitaxie du faisceau moléculaire. L'évaporation thermique est la forme de dépôt la plus simple qui consiste à chauffer un matériau métallique qui conduit ensuite à la libération d'atomes pour former une couche mince sur le substrat. D'autre part, l'évaporation par faisceau d'électrons utilise un faisceau d'électrons pour dissocier un matériau moléculaire, induisant la libération d'atomes qui finissent par se déposer sur la surface préférée. Le principal avantage de l'évaporation par faisceau d'électrons est la capacité d'atteindre des températures plus élevées. Enfin, l'épitaxie par faisceau moléculaire est considérée comme l'une des techniques de dépôt les plus avancées. Dans cette technique, la libération d'atomes est induite par l'activation d'un faisceau moléculaire à flux d'énergie. C'est la méthode de dépôt la plus précise et la plus uniforme des trois et elle est idéale pour obtenir des couches minces de qualité nécessaires à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le GEN 2000 comprend également un obturateur qui peut être utilisé pour contrôler la vitesse de dépôt et une alimentation électrique automatisée qui est utilisée pour contrôler les sources de dépôt. L'obturateur peut être ouvert et fermé à l'aide d'un solénoïde afin de réguler la quantité de matière déposée sur le substrat. En outre, l'alimentation peut être utilisée pour ajuster les niveaux d'énergie des sources de dépôt afin d'optimiser la vitesse de dépôt de la couche. VEECO GEN 2000 comprend également un contrôleur informatique qui peut être utilisé pour contrôler chacun des composants de la machine. Le contrôleur est équipé d'une interface permettant de saisir des paramètres utilisateur tels que la source de dépôt, l'épaisseur de couche, la température et la pression du substrat. En outre, le contrôleur surveille chacun des processus sur l'outil pour s'assurer que la qualité la plus élevée est atteinte pendant le dépôt. En conclusion, GEN 2000 est un actif avancé d'épitaxie par faisceau moléculaire qui fournit un dépôt de couche fiable, de haute qualité et homogène. En utilisant ses trois sources de dépôt différentes, ce modèle peut générer une variété de couches minces pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avec facilité. En outre, le contrôleur informatique convivial assure que tous les processus sont sous contrôle et que la plus haute qualité est atteinte.