Occasion VEECO Gen II #9107591 à vendre en France

L'équipement VARIAN/VEECO GEN II d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est un système de dépôt multi-utilisateurs très avancé pour le dopage et le dépôt d'une grande variété de matériaux semi-conducteurs. Cette unité MBE de pointe permet un contrôle précis de l'environnement de dépôt pour obtenir des couches de haute qualité avec une excellente reproductibilité. Cette machine permet le dépôt de couches de haute qualité et uniformes de matériaux semi-conducteurs tels que l'arséniure de gallium et l'arséniure d'indium gallium. Le procédé de dépôt est réalisé dans une chambre à vide, où le substrat à déposer est placé sur un support chauffant. Trois types de cellules effusives, fabriquées par César sont utilisées avec l'outil ; un arsenic, un gallium et une cellule d'indium. La combinaison de ces trois cellules donne à l'utilisateur la souplesse nécessaire pour créer des structures complexes et spécialisées en couches minces. La pression de base de l'actif MBE est maintenue à 4-6 x 10-7 mbar, et un modèle de verrouillage de charge séparé est utilisé pour réduire davantage la pression avant l'introduction dans la chambre à vide. En outre, l'équipement contient une unité d'oxydation thermique, un générateur d'ozone et deux lignes d'azote afin d'aider à la préparation de surface et à l'amélioration de la croissance. Le porte-substrat est chauffé électriquement et est contrôlé en température avec une série de thermocouples, permettant des températures uniformes sur toutes les zones de l'échantillon, assurant ainsi un contrôle de précision pour le dépôt de couches minces. Les températures prédéterminées vont de 200 K à 1 000 K. De plus, les équipements VEECO GEN II sont équipés d'un logiciel de pointe, qui offre une variété de fonctionnalités utiles pour contrôler le processus d'émission et de dépôt à la source. Le logiciel comprend un ensemble complet d'outils pour simuler des processus de croissance, définir des structures de couches et effectuer divers calculs de paramètres. En utilisant de puissantes capacités d'optimisation paramétrique, les utilisateurs peuvent également développer des simulations détaillées de leurs structures en couches minces, leur permettant de maximiser les performances de leurs échantillons. Il permet également aux utilisateurs de créer des interfaces graphiques afin de leur fournir un moyen pratique de mettre en place et de surveiller des expériences. Le système VARIAN GEN II MBE a été conçu pour répondre à un large éventail de besoins scientifiques et industriels, permettant aux utilisateurs de porter leurs applications de recherche au niveau supérieur. Cette unité avancée est capable de produire des résultats de haute qualité et offre la flexibilité d'allouer différents matériaux, atome par atome, afin de créer des structures complexes en couches minces.