Occasion VEECO Gen II #9194612 à vendre en France
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ID: 9194612
Taille de la plaquette: 3"
MBE Growth system, 3"
AlGaAs Laser
InGaAsP
Vacuum:
Growth chamber (GC)
Triode ion pump: 400 l/sec
Buffer chamber (BC)
Triode ion pump: 200 l/sec
(2) TSP Controllers
Loadlock chamber (LC)
(100) CTI Cryotor cryopumps
(2) Vacshorption pumps
Ventury pump
In situ and calibration tools:
RHEED System: 0-10 keV
RHEED Oscillation growth rate calibration system
Cells:
EPI
Valved cracker with valved controller
Cable
Riber three zone
P Valved cracker with valve controller
Power supply
(3) 400g Sumo cells Ga, In, Al
(2) Dopont cells
Dual electronic equipment rack, 19"
(12) Solenson DC power supplies
2704 Dual channel
Eurotherm controller
Substrate and heated station
(2) DC Power supplies
Substrate heater
Heated station
Other tools:
Ircon optical pyrometer
Growth chamber and beam flux
(2) GP Ion gauge controllers
Buffer and loadlock chamber
RHEED Power supply
RGA Power supply unit
TEK Scope
Riber P valved cracker valve controller
Riber P cracker power supply
Pyrometer port heated
Substrate manipulator controller
Loadlock chamber
Lamp power and controller
AGILENT / HP / HEWLETT-PACKARD / KEYSIGHT Chart record mounted
RHEED Oscillation recording
Trolley for substrate handling.
L'équipement VARIAN/VEECO GEN II d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technologie innovante utilisée pour la recherche et le développement de matériaux semi-conducteurs de haute qualité. Il fournit des niveaux exceptionnels de contrôle, de précision et de précision pour la production de ces appareils afin d'assurer une performance et une fiabilité optimales. Le système comprend le processeur MBE VEECO GEN II pour le dopage des matériaux, le dépôt et la croissance des structures. Le processeur est conçu pour réaliser des environnements à vide ultra-élevé et utiliser une large gamme de configurations de substrat et de sources. L'unité comprend également l'option AE VEECO Long Body Source, qui fournit une puissance élevée et une excellente homogénéité du faisceau moléculaire, permettant des résultats MBE précis et précis. Les composantes principales suivantes sont incluses : 1. Chambres à vide - La chambre principale est conçue pour travailler dans un environnement à vide ultra-élevé, permettant le dépôt et la croissance de couches de matériaux avec une excellente uniformité et atomisation. 2. Sources du substrat - Un certain nombre de sources sont disponibles, selon les matériaux et les normes requis (cistallin/amorphe, etc.). Pour une meilleure précision, des sources de référence et de destination facultatives peuvent être utilisées pour optimiser les niveaux de croissance. 3. Configurations des sources - Les configurations des sources comprennent la source d'ions, la source de faisceau d'électrons, la source réactive et la source embarquée pour tenir compte des processus MBE. 4. Contrôle du procédé - Le contrôle du procédé à débit variable permet des ajustements précis du dépôt ou du taux de croissance du substrat. Un module Autotune en option est disponible pour améliorer le contrôle des processus, ainsi que la productivité et les économies. 5. Alignement des échantillons - La machine d'alignement des échantillons fournit un positionnement précis et reproductible des plaquettes et de leurs couches pour une uniformité et une précision optimales. 6. Surveillance sous vide - L'outil surveille les niveaux de pression, de température et de gaz résiduels à l'aide des cellules hygrométriques et de dépôt in situ, des analyseurs et des jauges. VARIAN GEN II MBE offre une conception conviviale et des contrôles intuitifs pour une configuration et un fonctionnement rapides. Le modèle est également proposé avec différentes configurations, en fonction des besoins spécifiques. En utilisant la dernière technologie MBE, l'équipement est capable d'offrir une précision et une précision optimales pour une qualité et une fiabilité supérieures.
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