Occasion VEECO Gen II #9207238 à vendre en France

Un VARIAN/VEECO GEN II est une forme sophistiquée d'équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) conçu pour la recherche et le développement de pointe dans le domaine des sciences des matériaux semi-conducteurs. Cette machine permet un contrôle précis de la croissance des couches nanométriques de matériau, des atomes simples aux molécules complexes. Le système est capable de réaliser des processus de croissance multi-atomiques couche par couche avec l'uniformité ultime et la contrôlabilité. Au cœur de l'unité se trouve la cellule MBE, qui est divisée en deux chambres distinctes. La première chambre est le porte-échantillon, ou porte-substrat, qui est conçu pour accueillir de manière sûre une grande variété de types de substrat de base, y compris des plaquettes, des substrats, des couches épitaxiales et d'autres matériaux. Le porte-échantillon est ensuite chauffé à la température désirée et est surveillé par un thermocouple. A l'intérieur de la cellule MBE, le substrat est positionné dans une chambre à vide ultra-haute et est géré par plusieurs boutons et interrupteurs qui servent à ajuster des paramètres tels que la pression, la température et le débit. La deuxième chambre contient plusieurs sources de gaz qui sont utilisées pour créer les différents matériaux nécessaires au processus d'épitaxie. Ces sources peuvent comprendre des sources élémentaires, comme l'arsenic et le phosphore, et des sources moléculaires de molécules plus complexes comme le sélénure d'hydrogène. Les gaz sont ensuite transportés vers la chambre porte-échantillon, le plus souvent par un réchauffeur à effusion, où ils sont exposés à un substrat et peuvent être utilisés pour générer des couches composites. La machine contient également plusieurs sous-systèmes de contrôle MBE qui gèrent ces processus, tels que les systèmes de contrôle thermique et de pression, l'étage de balayage RF et l'outil de réglage et d'étalonnage automatique (ATC). L'ATC fournit des informations détaillées sur les processus de croissance et veille à ce que les conditions appropriées soient établies pour chaque couche de dépôt. Dans l'ensemble, VEECO GEN II offre un outil complet et précis pour la recherche avancée et le développement de systèmes de matériaux semi-conducteurs. Le modèle offre un contrôle supérieur d'une variété de paramètres, permettant une croissance contrôlée de matériaux complexes à des niveaux nanométriques. Grâce aux caractéristiques avancées de cet équipement, les chercheurs sont en mesure de créer des nanostructures personnalisées et précises qui peuvent être utilisées dans une variété d'applications et de domaines de recherche.