Occasion VEECO Gen II #9234453 à vendre en France

L'équipement VARIAN/VEECO GEN II d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est un système de dépôt performant capable de créer des couches épitaxiales de haute qualité sur des plaquettes. VEECO GEN II est capable de créer des couches minces de matériaux semi-conducteurs tels que l'arséniure de gallium (GaAs) sur des matériaux semi-conducteurs composés III/V tels que le phosphure d'indium (InP). L'unité y parvient en combinant des sources d'évaporation à haute résolution et un contrôle précis du flux, permettant le dépôt de couches épitaxiées d'épaisseur inférieure à un nanomètre. VARIAN GEN II est équipé de deux cellules MBE indépendantes, permettant le dépôt simultané de différentes couches pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques et autres dispositifs semi-conducteurs. Chaque cellule MBE possède trois sources de matériaux, chacune étant configurée indépendamment pour permettre le dépôt d'un seul matériau sur la plaquette ou une combinaison de trois espèces au maximum simultanément. Ces sources sont chauffées indépendamment à une température allant jusqu'à 1000 ° C, et la cellule MBE permet de contrôler précisément le flux de ces espèces jusqu'à la formation des couches désirées. Le GEN II est équipé d'un générateur de plasma RF et d'une source de plasma à résonance cyclotron électronique avec antennes externes. Ces sources plasmatiques contribuent à une meilleure atomisation et à des taux de dépôt plus élevés. Cela permet de réduire le temps de dépôt nécessaire pour les couches de MBE, de gagner du temps sur la fabrication et d'augmenter l'efficacité de la production. VARIAN/VEECO GEN II comprend également une machine de contrôle et de contrôle de processus très précise. Cet outil permet de surveiller simultanément plusieurs paramètres physiques et chimiques au cours du processus de croissance, en veillant à ce que le contrôle précis du processus soit maintenu tout au long. Cet atout permet de mener avec précision les processus MBE, ce qui entraîne la production de couches épitaxiales de haute qualité. VEECO GEN II est équipé d'un régulateur de nettoyage post-croissance pour enlever les matières résiduelles de la surface du substrat. Le modèle comprend également une étape de chauffage pour les traitements de pré- et post-croissance sur des substrats de 3 pouces au maximum, ainsi qu'un contrôle automatique de rétroaction en boucle fermée pour surveiller et réguler la pression de la chambre et d'autres paramètres de processus. L'équipement VARIAN GEN II MBE est un système de dépôt épitaxial avancé et très précis qui permet la production fiable de couches épitaxiales de haute qualité. L'unité combine la puissance des sources d'évaporation à haute résolution avec un contrôle précis du flux, permettant la croissance de couches d'épaisseur inférieure à un nanomètre. Le GEN II comprend également une machine de contrôle et de surveillance des processus très précise, permettant une conduite très précise des processus MBE. Le contrôleur de nettoyage post-croissance et l'étape de chauffage complètent efficacement le processus de croissance, contribuant à maintenir des rendements élevés dans la production de couches épitaxiales.