Occasion VEECO Gen II #9359604 à vendre en France
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ID: 9359604
Taille de la plaquette: 2"
MBE System, 2"
With auger analysis
(8) Sources: 2.75" Flanges
Indium-free (6) sample holders with profiles
Substrate heater: Up to 900°C
Substrate manipulators:
Power supply
Temperature controller
Servo motor control unit
Clean chamber
Effusion cells
Wagon wheel prep chamber
Growth chamber pumps:
Ion pump: 400 l/m
Cryo pump, 10"
Prep chamber pumps: 220 l/m Ion pump
Load lock pumps: Sorption, mechanical, turbo pumps
(3) Ion gauges and controllers
RHEED and QMS Systems
Pyrometer
Computer
Panels.
L'épitaxie par faisceau moléculaire est une technique avancée pour créer des matériaux en couches minces avec un contrôle précis de l'épaisseur, de l'uniformité et de la composition des couches. VARIAN/VEECO GEN II est un équipement de pointe d'épitaxie par faisceau moléculaire qui offre des performances et une polyvalence accrues. VEECO GEN II est conçu pour atteindre des taux de croissance plus élevés que les systèmes traditionnels et existants d'épitaxie par faisceau moléculaire tout en offrant un contrôle supérieur sur l'épaisseur, l'uniformité et la composition des couches. VARIAN GEN II utilise une configuration Triple Metal, Tri-Source (TMTS) qui se compose de trois sources indépendantes de matériaux vaporisables. Avec le TMTS, les fractions dopantes ultra-basses, l'uniformité des matériaux de haute surface et les taux de croissance accordables, permettant aux clients de personnaliser leur conception d'appareil pour une performance optimale. De plus, le bras source alternatif du TMTS, permet d'ajouter des sources supplémentaires de matériaux réactifs pour augmenter la flexibilité de la composition et la croissance multicouche. Le GEN II est également équipé d'un système de surveillance in situ en temps réel et d'un obturateur commandé par ordinateur, qui permet de mieux contrôler la croissance des films. L'unité temps réel surveille l'épaisseur du film, l'uniformité et les niveaux de dopage, ce qui permet un contrôle supérieur sur le processus de dépôt des matériaux. L'ensemble obturateur peut être utilisé pour masquer certaines régions du dépôt, ce qui permet de mieux contrôler les concentrations d'impuretés, l'uniformité des couches et la composition. En plus de ses performances améliorées, VARIAN/VEECO GEN II offre une stabilité et une propreté environnementales supérieures. La machine est équipée de composants ultra bas sortant Ultra High Vacuum (UHV), ce qui réduit les risques de décantation de contaminants sur la plaquette. En outre, VEECO GEN II dispose d'une turbine à faisceau de gaz qui aide à éliminer la formation de particules de poussières indésirables, qui peuvent ensuite s'enrouler dans la chambre et contaminer la croissance du film. Dans l'ensemble, VARIAN GEN II est un outil avancé d'épitaxie par faisceau moléculaire qui offre des performances supérieures, une polyvalence et une stabilité environnementale. En offrant des capacités de surveillance en temps réel supérieures, des taux de croissance et des compositions personnalisables et des composants de dégazage ultra-bas, le GEN II assure un meilleur contrôle du processus de dépôt, créant des matériaux de couches minces structurés avec une uniformité et une répétabilité précises.
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