Occasion VEECO GEN III-V #9257986 à vendre en France

L'équipement VEECO GEN III-V Molecular Beam Epitaxy est un outil de recherche unique pour les matériaux semi-conducteurs composés à l'échelle nanométrique. Il offre des capacités et des performances de recherche de calibre mondial qui permettent de fabriquer les appareils et les matériaux les plus avancés et innovants d'aujourd'hui. Le système contient une unité de dépôt à vide ultra-élevé (UHV) qui fournit les conditions requises pour la croissance de couches épitaxiales à partir de substrats III-V (tels que GaAs et GaP). Son ensemble puissant de caractéristiques comprennent le transport et le traitement de suscepteurs multiples ; un à quatre creusets sources par machine pour une homogénéité et un débit d'échantillon accrus ; et une chambre UHV avec une source pompée sans fente et des cellules à double effusion indépendantes pour des applications de recherche élargies. En outre, il contient plusieurs configurations avancées de sources, telles que des sources d'évaporation à longue durée de vie pendant de plus longues heures de fonctionnement ; blanker pour les taux de dépôt plus élevés des espèces du groupe III ; obturateurs sources pour un contrôle exact des taux de dépôt ; et les sources d'effraction de gaz. Son spectromètre de masse haute résolution et à réponse rapide fournit des mesures de traces de la composition gazeuse de la chambre pour assurer un contrôle total des paramètres de croissance du film. Les composants mécaniques compatibles UHV de l'outil, tels que les systèmes de chauffage laser à gradients thermiques élevés, combinés à son contrôle mécanique précis du suscepteur, permettent de fabriquer des matériaux de qualité scientifique et technique dans le même atout. GEN III-V offre une large gamme d'options et de fonctionnalités supplémentaires disponibles qui étendent considérablement ses capacités. Les modules de fluence in situ personnalisés permettent de contrôler la fluence des plaquettes en haut et en bas jusqu'à une précision d'un seul chiffre, tandis que le QCM « in situ » permet de mesurer la vitesse de dépôt en temps réel. De plus, les options intégrées comme les systèmes de chauffage/refroidissement à distance des échantillons, les élévateurs porte-échantillons et la rotation incrémentale du substrat permettent des couches ultra-minces avec une extrême uniformité. En outre, ses options matérielles avancées, telles que le transport automatisé d'échantillons avec stockage et récupération in situ d'échantillons, le chargement/déchargement automatique de substrat et la sélection automatisée de recettes, permettent au modèle de fonctionner sans opérateurs pendant de longues heures. VEECO GEN III-V met tous les aspects de l'épitaxie des faisceaux moléculaires à portée de main, combinant des performances de classe mondiale avec une flexibilité inégalée pour créer la meilleure croissance des matériaux épitaxiés disponibles à des fins de recherche et commerciales pour les années à venir.