Occasion AIXTRON 200/4 RF-S #197865 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
200/4 RF-S
ID: 197865
Taille de la plaquette: 2"
MOCVD / GaN System, 2" single-wafer 1 x 2-inch wafer configuration in horizontal-flow reactor cell Reactor cell integrated with M.Braun inert-atmosphere glovebox Inductive heating to 1200°C with Huttinger power supply Luxtron pyrometer for process temperature control Filmetrics white-light reflectometer for in situ monitoring, with dedicated PC Leybold D65BCS main pump Five MO lines, including one configured for dopant dilution Space allowance for three additional MO lines MOs used TMGa, TMIn, TMAl, Cp2Mg, ditertiarybutylsilane Hydride lines for ammonia, dilute silane, plus one spare Johnson Matthey Pd-diffusion cell for hydrogen purification SAES heated getter column for nitrogen purification Full PC and PLC control using Aixtron CACE v2.2 software Includes Aixtron wet-column exhaust scrubber Used for ca 550 growth runs only Offered with manuals and spares Gas cabinets and control panels can be included in purchase Currently powered down in cleanroom 2000 vintage.
AIXTRON 200/4 RF-S est un réacteur de traitement de surface utilisant la technologie de pulvérisation et d'évaporation par radiofréquence (RF). Le réacteur est un équipement de dépôt renforcé par plasma à quatre cibles avec un flux de gaz plasma. Il est conçu pour fournir un processus de dépôt homogène, répétable et efficace. Le réacteur est constitué de quatre sources composées chacune d'une cathode, d'une anode et d'un générateur RF. Les cathodes sont des cibles de pulvérisation de divers matériaux destinés à assurer un dépôt de surface souhaitable. L'anode est placée au centre des cathodes pour focaliser l'énergie générée par le générateur RF. Le générateur RF aide à créer du plasma dans la chambre pour une pulvérisation efficace du matériau à partir de la surface cible désirée. En fonctionnement, le générateur RF crée un champ électrique près de la cible, ce qui provoque l'ionisation et l'accélération du gaz plasmatique vers la surface cible. Cela crée un faisceau de plasma uniforme pour pulvériser le matériau cible. Le matériau pulvérisé est alors soumis à l'atmosphère contrôlée à l'intérieur de l'enceinte et subit une réaction contrôlée, produisant un dépôt de surface désiré. Le système offre également un contrôle indépendant de la densité de puissance RF appliquée et du débit de gaz, permettant un contrôle précis du processus de dépôt. L'unité est équipée d'une fonction de contrôle automatisé de la température et de la pression qui maintient constamment la température et la pression souhaitées dans la chambre pour un dépôt régulier et optimisé. AIXTRON 200/4 RF-S dispose également de diagnostics avancés et de protocoles de sécurité automatisés qui fournissent des capacités de maintenance prédictive et de détection des erreurs. Grâce à ses diagnostics avancés, la machine peut détecter les problèmes tôt, assurant un contrôle précis du processus de dépôt et réduisant les temps d'arrêt causés par la défaillance de l'équipement. Dans l'ensemble, AIXTRON 200/4 RF-S est un outil de pulvérisation et d'évaporation robuste et fiable pour un large éventail d'applications de traitement de surface. Son débit de gaz intégré, son contrôle de la température et de la pression et ses diagnostics avancés en font un choix idéal pour le traitement de divers matériaux pour des propriétés de dépôt optimisées.
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