Occasion AIXTRON 2400 G3 #293700069 à vendre en France
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ID: 293700069
Style Vintage: 2001
MOCVD System
MKS 651C Reactor pressure PC Controller
EBARA A25S Dry pump
(9) MO Baths
Gases: N2, H2, PH3, AsH3, SiH4
Source MO:
(2) TMIn
(3) TMGa
(2) TMAl
(2) DeZn
Gas lines:
N2 Source line
H2 Line
(2) Lines for AsH3
(2) Lines for PH3
(2) Lines for SiH4
N2 Line for compensation of the hydride line
N2 Line for MO compensation
Materials based on GaAs and InP: InAs, GaInAs, GaInAsP, GaInP, AlGaAs, AlGaInP, GaAsP, GaInAsP + P or N doping with Zn or Si
(2) Screens
Keyboard
Mouse
Manuals included
Operating system: Windows 2000 Professional
2001 vintage.
AIXTRON 2400 G3 est un équipement de réacteur de fabrication avancé conçu pour le dépôt de matériaux en couches minces, ainsi que pour la fabrication de composants optoélectroniques et semi-conducteurs. Il dispose d'une source thermique avancée, d'un suscepteur à 5 zones et d'un suscepteur inclinant pour une uniformité de film supérieure. AIXTRON 2400G3 dispose d'un réacteur à paroi froide monté horizontalement avec accès latéral pour l'éclairage et le chargement/déchargement des plaquettes de chaque côté pour fournir une exécution de recette efficace dans le temps. Il est construit avec une pompe mécanique à double étage très efficace, avec un système numérique unique de maquillage de gaz inerte, et un générateur de plasma à haut rendement unique. Cette unité est capable de générer jusqu'à 200 milliampères de puissance ionisée dans un environnement confiné en chambre de réaction. 2400 G3 fournit également une machine intégrée de serrage des plaquettes, avec une taille maximale des plaquettes de 8 pouces et une uniformité de température de +/- 5 ° C sur toute la surface des plaquettes. Il dispose d'un outil d'adaptation RF embarqué pour maximiser la stabilité du plasma, et d'un interféromètre laser pour un contrôle de position en temps réel précis. 2400G3 est capable de déposer et de graver des procédés utilisant une variété de dépôts et de chimies de gravure, y compris CVD, pulvérisation et gravure ionique réactive. Il dispose également d'une source d'activation plasma intégrée optionnelle pour la modification de surface et la fabrication de matériaux diélectriques à couche mince. AIXTRON 2400 G3 offre un environnement très efficace pour des processus de fabrication rapides et précis, avec des fonctionnalités avancées permettant des résultats très reproductibles, et un contrôle automatique des retours pour l'optimisation des recettes. Avec son design innovant et sa construction robuste, AIXTRON 2400G3 offre un atout puissant et polyvalent pour une variété d'applications.
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