Occasion AIXTRON 2400G3 HT #9292253 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
2400G3 HT
ID: 9292253
Style Vintage: 2004
MOCVD System Equipped with (4) single thermal baths and (1) double GaN, 11x2" Hydride source configuration: NH3-1, NH3-2, SiH4-1, HCl MO Source configuration: TMGa-1, TEGa-1, TEGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, TMIn-1, TMIn-2 Spare parts included 2004 vintage.
AIXTRON 2400G3 HT est un réacteur de dépôt à configuration horizontale conçu pour des applications de croissance cristalline. Ce réacteur utilise un plasma RF (radiofréquence) pour créer un environnement à basse pression pour les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ceci signifie que le matériau source de la réaction de dépôt est délivré à l'enceinte sous forme de vapeur gazeuse par un procédé d'injection à débit contrôlé. Le plasma RF est généré à partir d'électrodes situées à l'intérieur et à l'extérieur de la chambre du réacteur. Ce plasma RF est utilisé pour ioniser le matériau source gazeux, ce qui crée les conditions d'une croissance optimale du matériau désiré. AIXTRON 2400 G3-HT intègre une technologie avancée de contrôle des procédés et de température, permettant aux utilisateurs de contrôler avec précision les paramètres de dépôt et les conditions de traitement. Le régulateur de température du réacteur peut être réglé pour atteindre un maximum de 900 ° C, selon le matériau cultivé. Le réacteur est équipé d'une capacité de balayage rapide brevetée AIXTRON, permettant à l'utilisateur de calibrer avec précision les paramètres du processus et d'optimiser le processus de croissance. 2400 G3 HT est un réacteur monobloc et a une couche sur couche standard (LOL) et une taille maximale de plaquette de 12 pouces. Les gaz réactifs sont injectés dans la zone de dépôt par deux anneaux ouverts au sommet de la chambre du réacteur puis répartis uniformément par un jeu de chicanes. Avec son grand volume et ses capacités de débit élevées, 2400 G3-HT maintient un dépôt de film uniforme tout au long du processus de croissance. En plus de ses caractéristiques technologiques exceptionnelles, 2400G3 HT dispose de plusieurs caractéristiques de sécurité supplémentaires. Il est livré avec un système de contrôle de la température de la couche, conçu pour éviter la contamination du substrat en empêchant toute coalescence du matériau pelliculé déposé. En outre AIXTRON 2400 G3 HT est équipé d'une atmosphère de gaz inerte à l'intérieur de la chambre du réacteur, empêchant en outre la formation de dépôts indésirables. Au total, AIXTRON 2400G3 HT est un réacteur de dépôt très avancé qui est bien adapté à la croissance des cristaux. Il offre un contrôle optimal de la température et de la pression et est livré avec plusieurs caractéristiques de sécurité qui aident les utilisateurs à atteindre les résultats souhaités sans compromettre le substrat. AIXTRON 2400 G3-HT est le choix idéal pour produire des cristaux de haute pureté avec une excellente uniformité et intégrité structurelle.
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