Occasion AIXTRON 2800 G4 HT #9194705 à vendre en France
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Vendu
ID: 9194705
Style Vintage: 2010
MOCVD Systems
Configuration:
GMS
Constant temperature MO sources (2 RM25 & 5 RM6)
Run / Vent pressure difference balance
In-MO source density monitor
(3) NH3 Configuration
H2 & N2 Testing equipment
Monitoring system:
EpicurveTT: Wafer curvature monitoring
Photrix: Wafer surface temperature monitoring
Optrics: Ceiling temperature monitoring
Rotation and satellite rotation:
Main rotation: Motor controller
Satellite rotation: Gas drive and single controller
Reaction chamber information:
11 x 4’’ Structure
Fixed heating coil
Water cooling triple injector
Injector purge
Controller:
PLC: Controller logix from AB
SCS from AIXTRON
2010 vintage.
AIXTRON 2800 G4 HT est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) puissant et efficace équipé des dernières avancées dans le domaine. Ce réacteur offre des performances et une productivité fiables et peut être appliqué dans un large éventail de matériaux et d'applications. Il convient au traitement de divers matériaux tels que le graphène, les nanofils, les nanotubes, les semi-conducteurs et les couches minces composites. Le réacteur est alimenté par une technologie unique de nanofabrication qui offre un maximum de précision et de contrôle. Il dispose d'un système de couvercle multicouche, d'une paroi froide segmentée, d'une boîte à gaz contrôlée par PC et d'un bouchon d'extrémité à bord chaud. Cette combinaison de caractéristiques permet des couches de matériaux rapides, répétables et uniformes, et le rend idéal pour la recherche et le développement de technologies innovantes. AIXTRON 2800G4 HT est conçu avec une plage de température élevée allant jusqu'à 1200 ° C, ce qui permet un cycle de processus plus rapide et un débit plus élevé que les autres réacteurs CVD sur le marché. Ceci est réalisé grâce à une conception exclusive comprenant des passages d'admission d'air et d'échappement pour la chambre de dépôt, un bouchon chauffant et une boîte à gaz conditionnée. La boîte à gaz permet un contrôle précis de la température et une vitesse de réaction rapide en fournissant une atmosphère inerte contrôlée. De plus, la même chambre est utilisée pour différents substrats et permet un échange rapide et facile de substrats. Le système de couvercle facilite le dépôt à la température la plus élevée possible assurant une excellente répétabilité et uniformité. Le couvercle lui-même est segmenté en deux ou plusieurs parties et chaque couche est chauffée séparément pour un contrôle précis de la température. Le bouchon d'extrémité bord-source chaud permet une répartition efficace du matériau et un dépôt plus uniforme à la surface du substrat. Toutes ces caractéristiques font de 2800 G4 HT le réacteur CVD le plus avancé du marché. Il offre une plateforme optimale aux équipes de recherche et développement pour faciliter la production de films minces, de nanostructures et d'autres matériaux avec une qualité et une précision sans précédent.
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