Occasion AIXTRON 3000 #9121782 à vendre en France
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ID: 9121782
Planetary reactor system
P/N: 31010224
(95) Hi volume reactors, 2"
MO-IR3000 Heating unit
MOE-3000 Growth cabinet
MO-V300 Low pressure system
MO-EO Control cabinet
MO-GO Gas blending cabinet
Process materials:
Trimethylaluminum: (ch3)3al
Trimethylgallium: (ch3)3ga
Trimethylindium: (ch3)3in
Dimethylzinc: (ch3)2zn
Phosphine: ph3
Arsine: ash3
MO-R3000 AIX MOCVD Reactor:
Integrated in stainless steel glovebox
Water cooled stainless steel
Aluminum reactor
Quartz plate
Gas distributor
Exhaust gas collector
Hydraulic lift for reactor lid
Double O-ring system
LEYBOLD d1.6 pump
Graphite susceptor:
Current configuration: (95) 2" Wafers
Supply: (4) 8" Wafers
Tools for handling transfer system unit
Mo-IR3000 AIX 3000 infrared heating unit:
(30) IR Stripe heaters
Power control unit (thyristor system)
Current distribution
Fused
Individual control
Electronic control system
Water cooling system
MOE-3000 Growth cabinet:
Glove box with automatic pressure control containing:
Planetary reactor AIX 3000
Inert gas purification system for glove box
Achievable gas purity 1 ppm H2O and O2
Filters regenerative
Control panel for glove box
Low pressure operating unit MO-V3000 AIX 3000
Transfer chamber for reactor parts
Wafer transfer chamber
N2 Blow off gun
Hydraulic system for reactor lid operation
MO-V3000 Low pressure system:
High capacity particulate filter
Pressure sensor
Throttle valve
Pressure control
(2) IF 100 Particle traps
Vacuum valves
Vacuum tweezers
N2 Purge of pump
Dual port MKS pressure readout
PIS Indication system
MO-EO Control cabinet:
Ventilated steel cabinet for electronic control units
Power supplies for reactor heater and electronics
Control panel for reactor temperature with EUROTHERM 818s pid
Control panel for reactor pressure regulation with MKS 652
Control panel for pneumatic valves in gas blending system
Control panel for reactor cooling
Control panel for double O-ring leak monitoring
Control panel for moisture sensor
Safety control:
Hard-wired
Pal programmable logic
Computer control console
Printer
Emergency power off button
Power distribution
Signal distribution
Mo-go gas blending cabinet:
Exhausted steel cabinet
Metalorganic
Hydride sources
Controlled temperature baths
Integrated N2H2 distribution manifold
Asec pressure regulators
Run and vent lines
Auxiliary lines for reactor
Gas foil rotation
Particle filters
Check valves in all gas supply lines
Pneumatic distribution panel
Signal distribution panel
Integrated pd-diffuser.
AIXTRON 3000 est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dédié à la production de matériaux semi-conducteurs de haute qualité, utilisés dans la production de dispositifs électroniques avancés. Sa conception modulaire et ses caractéristiques brevetées uniques le rendent idéal pour une utilisation en laboratoire et dans de plus grandes opérations de production. 3000 est constitué d'une chambre de dépôt, contenant un seul canon à faisceau d'électrons de source et deux électrodes cibles. La source d'énergie est un faisceau d'électrons isolé de 650 ºC, qui est optimisé pour la production de matériau de qualité. A l'intérieur de la chambre étanche au vide, des électrons énergétiques du canon interagissent avec le matériau réactif gazeux pour créer un dépôt de matériau sur le substrat cible. La réponse résultante est très uniforme et répétable, fournissant la base d'un processus de production contrôlé. AIXTRON 3000 est conçu pour fournir un degré inégalé de contrôle sur l'environnement de dépôt, permettant de surveiller et d'ajuster à volonté avec précision des paramètres tels que la pression, la température et la vitesse de dépôt. D'autres caractéristiques comprennent un système automatisé d'alimentation en gaz de pointe et des robots de manutention de plaquettes avancés pour des transferts de substrat rapides et efficaces. Les matériaux AILTRON 3000 se présentent dans une variété d'options, y compris les composés des groupes IV, III-V et II-VI. Ces composés sont spécialement formulés pour assurer l'homogénéité et la répétabilité du procédé de dépôt, et pour assurer la plus haute qualité possible de production de dispositifs. Le réacteur a également la capacité d'incorporer une gamme de substrats, dont l'oxyde de silicium, l'oxyde d'aluminium et le nitrure. AIXTRON 3000 a une large gamme d'applications dans la production d'appareils électroniques de pointe. Parmi les utilisations notables, mentionnons les détecteurs infrarouges à haut rendement, les dispositifs de stockage de données optiques, les films ultraminces avancés et la lithographie sans transfert. Il a également été utilisé pour la fabrication réussie de matériaux à base de graphène, pour des applications en biotechnologie et en nanoélectronique.
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