Occasion AIXTRON 3000 #9121782 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
3000
ID: 9121782
Planetary reactor system P/N: 31010224 (95) Hi volume reactors, 2" MO-IR3000 Heating unit MOE-3000 Growth cabinet MO-V300 Low pressure system MO-EO Control cabinet MO-GO Gas blending cabinet Process materials: Trimethylaluminum: (ch3)3al Trimethylgallium: (ch3)3ga Trimethylindium: (ch3)3in Dimethylzinc: (ch3)2zn Phosphine: ph3 Arsine: ash3 MO-R3000 AIX MOCVD Reactor: Integrated in stainless steel glovebox Water cooled stainless steel Aluminum reactor Quartz plate Gas distributor Exhaust gas collector Hydraulic lift for reactor lid Double O-ring system LEYBOLD d1.6 pump Graphite susceptor: Current configuration: (95) 2" Wafers Supply: (4) 8" Wafers Tools for handling transfer system unit Mo-IR3000 AIX 3000 infrared heating unit: (30) IR Stripe heaters Power control unit (thyristor system) Current distribution Fused Individual control Electronic control system Water cooling system MOE-3000 Growth cabinet: Glove box with automatic pressure control containing: Planetary reactor AIX 3000 Inert gas purification system for glove box Achievable gas purity 1 ppm H2O and O2 Filters regenerative Control panel for glove box Low pressure operating unit MO-V3000 AIX 3000 Transfer chamber for reactor parts Wafer transfer chamber N2 Blow off gun Hydraulic system for reactor lid operation MO-V3000 Low pressure system: High capacity particulate filter Pressure sensor Throttle valve Pressure control (2) IF 100 Particle traps Vacuum valves Vacuum tweezers N2 Purge of pump Dual port MKS pressure readout PIS Indication system MO-EO Control cabinet: Ventilated steel cabinet for electronic control units Power supplies for reactor heater and electronics Control panel for reactor temperature with EUROTHERM 818s pid Control panel for reactor pressure regulation with MKS 652 Control panel for pneumatic valves in gas blending system Control panel for reactor cooling Control panel for double O-ring leak monitoring Control panel for moisture sensor Safety control: Hard-wired Pal programmable logic Computer control console Printer Emergency power off button Power distribution Signal distribution Mo-go gas blending cabinet: Exhausted steel cabinet Metalorganic Hydride sources Controlled temperature baths Integrated N2H2 distribution manifold Asec pressure regulators Run and vent lines Auxiliary lines for reactor Gas foil rotation Particle filters Check valves in all gas supply lines Pneumatic distribution panel Signal distribution panel Integrated pd-diffuser.
AIXTRON 3000 est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dédié à la production de matériaux semi-conducteurs de haute qualité, utilisés dans la production de dispositifs électroniques avancés. Sa conception modulaire et ses caractéristiques brevetées uniques le rendent idéal pour une utilisation en laboratoire et dans de plus grandes opérations de production. 3000 est constitué d'une chambre de dépôt, contenant un seul canon à faisceau d'électrons de source et deux électrodes cibles. La source d'énergie est un faisceau d'électrons isolé de 650 ºC, qui est optimisé pour la production de matériau de qualité. A l'intérieur de la chambre étanche au vide, des électrons énergétiques du canon interagissent avec le matériau réactif gazeux pour créer un dépôt de matériau sur le substrat cible. La réponse résultante est très uniforme et répétable, fournissant la base d'un processus de production contrôlé. AIXTRON 3000 est conçu pour fournir un degré inégalé de contrôle sur l'environnement de dépôt, permettant de surveiller et d'ajuster à volonté avec précision des paramètres tels que la pression, la température et la vitesse de dépôt. D'autres caractéristiques comprennent un système automatisé d'alimentation en gaz de pointe et des robots de manutention de plaquettes avancés pour des transferts de substrat rapides et efficaces. Les matériaux AILTRON 3000 se présentent dans une variété d'options, y compris les composés des groupes IV, III-V et II-VI. Ces composés sont spécialement formulés pour assurer l'homogénéité et la répétabilité du procédé de dépôt, et pour assurer la plus haute qualité possible de production de dispositifs. Le réacteur a également la capacité d'incorporer une gamme de substrats, dont l'oxyde de silicium, l'oxyde d'aluminium et le nitrure. AIXTRON 3000 a une large gamme d'applications dans la production d'appareils électroniques de pointe. Parmi les utilisations notables, mentionnons les détecteurs infrarouges à haut rendement, les dispositifs de stockage de données optiques, les films ultraminces avancés et la lithographie sans transfert. Il a également été utilisé pour la fabrication réussie de matériaux à base de graphène, pour des applications en biotechnologie et en nanoélectronique.
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