Occasion AIXTRON AIX 200/4 #9065747 à vendre en France
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Vendu
ID: 9065747
MOCVD System
For LED or Optical devices: 2", 3", 4"
Average Throughput: up to 2,700 wafers per year
Wafer Capacity:
1 x 4"
1 x 3"
1 x 2"
Applications:
Ⅲ-Ⅴ Compounds
Ⅱ-Ⅵ Compounds
Oxides
Facility Requirements:
Power Supply:
3/N/PE/60Hz*/200V/AC/*+-5% or
3/N/OE/50Hz*/400V/AC/+-5%
Max. power consumption: ~20 kVA
Gas Supply:
N2 6.0 H2 Pd-Diffused
AsH3 100%
PH3 100%, SiH4 100%,
P inlet each 3-3.5 bar
Forming Gas 5% - 10% H2 in N2
Pneumatic: N2 techn. 7-8.5 bar
Cabinet Ventilation:
2 x 1000m3/h
Wafer cooling:
Total Flow 4l/min at Tinlet < 25℃
< 6 bar
Differential Pressure < 4 bar
Currently warehoused
1998 vintage.
AIXTRON AIX 200/4 est un réacteur à dépôt chimique métallique en phase vapeur (MOCVD) à basse pression (LP) conçu pour le dépôt de matériaux à couches minces et de nanomatériaux. L'AIX 200/4 est un outil commercial MOCVD qui a été utilisé pour démontrer la croissance des nanofils, la croissance des nanocristaux et de nombreux dépôts de couches minces depuis de nombreuses années. Ce réacteur offre une grande polyvalence en termes de contrôle de température et de pression et a été utilisé pour permettre le dépôt sur de nombreux substrats divers. Le réacteur AIX 200/4 comprend un tube réactionnel à quartz, où se produit la croissance de couches minces, ainsi qu'un équipement d'injection de précurseurs séparé et une source de plasma inductivement couplée (ICP). Le tube à quartz est le lieu du dépôt et est chauffé jusqu'à la température requise pour la croissance. Le système d'injection de précurseurs alimente les réactifs et sert d'unité de distribution de gaz. Les gaz circulent dans un débitmètre qui délivre une quantité précise de chaque gaz, typiquement présent en régime stationnaire dans le tube réactionnel. La source ICP est ensuite utilisée pour générer un plasma à haute densité pour exciter des espèces réactives, permettant la croissance de nanostructures ou de couches minces. L'AIX 200/4 comprend également des options de régulation de température, y compris le chauffage direct du tube réactionnel à quartz, permettant un contrôle de température ~ 500 ° C Ceci permet la croissance d'une gamme d'oxydes semi-conducteurs et métalliques. L'AIX 200/4 a également une capacité de contrôle de pression qui peut être utilisée pour contrôler l'atmosphère dans le tube réactionnel. Ceci permet de déposer dans différentes conditions atmosphériques, telles que le vide bas et haut ou le vide ultra-haut. L'outil AIX 200/4 est une machine de dépôt MOCVD polyvalente et robuste capable de produire des films et des nanomatériaux de haute qualité. C'est un excellent outil pour une gamme d'applications, et peut être utilisé pour optimiser les conditions de dépôt pour développer des dispositifs à couches minces. Il peut également être utilisé pour étudier les mécanismes de croissance des matériaux et acquérir un aperçu de la physique du plasma.
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