Occasion AIXTRON AIX 200 #148651 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
AIX 200
ID: 148651
Taille de la plaquette: 2"
LP-MOCVD system, 2" For sophisticated heterostructures such as: GaAs, InP, GaInAS, GaInAsP laser and multi quantum well structures Single chamber: 2 x 2" High purity gas blending system: tubing and components electropolished MFC and electronic pressure regulators response time: 1.5 second Temperature control for MO sources: better than 0.05°C Susceptor for (2) 2" wafers Uniform substrate temperature: maximum deviation 0.4°C / cm (1°C / inch) Heating and cooling times: 10 minutes Low pressure option: rotary pump with Fomblin oil and chemical oil filter Switching time: 0.1 second Process control: step programmable, 0.1 second increments Gas velocities in the growth area: maximum 5 m/s (200 inch / s) Total flow rate: standard up to 20 lpm Process times for high output: 8 runs per 8 hour day possible 32 bit computer with floppy and hard disks Safety interlock system operating even at computer down times Glovebox.
AIXTRON AIX 200 est un réacteur très avancé et polyvalent développé par AIXTRON SE, un fabricant allemand d'équipements de dépôt de semi-conducteurs. C'est un équipement d'épitaxie à faisceau moléculaire (MBE) à double zone, haute performance, spécialement conçu pour déposer des composés sur des substrats afin de produire des dispositifs semi-conducteurs de la plus haute qualité. AIX 200 peut fournir le MBE à atmosphère ouverte (OAMBE) ou le MBE à ultra-haut vide (UHV). Il supporte un large éventail de procédés de dépôt sous vide, tels que l'évaporation, la pulvérisation et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). AIXTRON AIX 200 supporte également des modes de dépôt horizontaux et verticaux, permettant de déposer une large gamme de matériaux, y compris III-V, II-VI, et une variété d'autres composés. AIX 200 est équipé d'un système de contrôle de gaz AI XTEC, qui offre un contrôle de gaz supérieur, un contrôle de vide, et offre une plus grande gamme d'options de livraison de gaz, avec un débit de gaz maximal de 300 sccm et un débit fin réglable de 0,1 sccm ou moins. L'AIXTEC permet un contrôle précis des niveaux de pression, tant en mode UHV qu'en mode OAMBE. En outre, AIXTRON AIX 200 dispose d'une unité de gestion thermique efficace, qui permet de manipuler les réglages de température avec une précision et une précision élevées. Pour ce faire, l'unité de réservation et de distribution de la poudre in situ avancée AIX 200 assure la cohérence de tous les substrats et composants sur une grande surface. AIXTRON AIX 200 est également équipé d'une unité de paramètres réglables, où des paramètres tels que la pression du gaz entrant, le débit de gaz RMS, la température du dépôt, les systèmes de surveillance et le temps de dépôt peuvent tous être ajustés. AIX 200 fournit une excellente précision et précision, car il est capable de produire des résultats de dépôt répétables sur de longues périodes de temps, avec la capacité d'ajuster la vitesse et l'épaisseur de dépôt. Sa machine de chauffage filaire augmente encore la précision et la précision du dépôt. De plus, AIXTRON AIX 200 dispose d'une monture cinématique qui assure que tous les paramètres d'inclinaison, d'azimut et de rotation sont maintenus pour des résultats de dépôt précis et reproductibles. Dans l'ensemble, AIX 200 fait un excellent choix pour la fabrication de semi-conducteurs, offrant des performances supérieures, des résultats reproductibles et une précision de contrôle et de dépôt des gaz de haut niveau. Son outil de gestion thermique efficace et fiable et son unité de paramètres réglables font de AIXTRON AIX 200 une excellente option pour fabriquer des composants semi-conducteurs de haute qualité et de haute précision.
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