Occasion AIXTRON AIX 2400 G3 HT #9293775 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
AIX 2400 G3 HT
ID: 9293775
Style Vintage: 2004
MOCVD System Power supply: 14400 kVA 2004 vintage.
AIXTRON AIX 2400 G3 HT est un équipement d'évaporateur à faisceau d'ions réactif (RIBE) à haute température (HT) conçu pour la fabrication de couches complexes de matériaux électroniques avancés. Il est le dernier ajout à la série AIXTRON cluster-tool et est capable de fournir les caractéristiques architecturales les plus avancées nécessaires à la fabrication de films minces haute performance et haute température (HT) et d'autres matériaux micro-structurés. AIXTRON AIX 2400 G3/HT se compose d'une chambre de dépôt, d'un assemblage de générateurs de plasma et d'une zone de traitement de substrat, qui sont tous enfermés dans un grand boîtier en acier inoxydable blindé et refroidi à l'air. Ce système est capable de produire des recettes de dépôt avancées sur une plage de température allant de 50 à 900 ° C, et des taux de dépôt allant jusqu'à 7nm/min. Il comprend également des unités de contrôle de processus multi-capteurs avancées ainsi que des capacités de suivi de plaquettes en temps réel. La chambre de dépôt est enfermée dans une chambre à vide et est équipée de générateurs de plasma RF à haute température, qui sont utilisés pour prétraiter et chauffer les substrats avant le dépôt. Les capacités de traitement en couches minces isothermes d'AIX 2400 G3 HT permettent la production de structures complexes et multicouches. L'unité d'acquisition de données pilotée par ordinateur de la chambre facilite le traitement précis des données de la machine, la surveillance continue des processus et permet des réglages personnalisés des paramètres de l'outil pour optimiser le flux de processus. L'ensemble du générateur de plasma est constitué d'une source RF couplée inductivement, avec la puissance de sortie réglable jusqu'à 700 Watts. Ses ports d'alimentation en gaz sont reliés directement aux panneaux de gaz pour les débits et pressions désirés. La zone de traitement du substrat est équipée de deux étages d'espacement des tranches, l'un pour le traitement à basse température et l'autre pour le traitement à haute température. Un moyen de serrage de la plaquette assure un dépôt précis et répétable de matériaux à haute température sur les substrats. La zone de traitement du substrat est également équipée d'un modèle de capteur laser pour exiger la précision du point d'extrémité et le suivi en temps réel du substrat. En résumé, AIX 2400 G3/HT est un équipement d'évaporateur de faisceau ionique réactif robuste et fiable conçu pour la production de couches minces à haute température et d'autres matériaux micro-structurés. Sa chambre de dépôt contrôlée par ordinateur, son ensemble générateur de plasma et sa zone de traitement des substrats constituent une solution efficace et économique pour la fabrication de couches complexes de matériaux électroniques avancés.
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