Occasion AIXTRON AIX 2400 G3 #9194776 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
AIX 2400 G3
ID: 9194776
Style Vintage: 1999
InP Reactor 11x2” (2) AsH3 PH3 SiH4 H2Se (2) CCl4 HCl (2) TMGa (3) TMIn (2 with Epison III) TMAl DEZn (2) H2 Pd cell purifiers NESLAB Chiller 1999 vintage.
AIXTRON AIX 2400 G3 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur métallique en champ fermé (MOCVD) de haute performance conçu pour répondre aux besoins de divers matériaux industriels exigeants et domaines d'application de la recherche sur les dispositifs. Ce réacteur de pointe est un équipement polyvalent offrant des flux de gaz réactifs dans un environnement de tube de quartz étanche, permettant une croissance et une qualité extrêmement élevées pour un large éventail de matériaux tels que GaAs, GaN, InGaN, AlGaAs, InGaAs, AlGaN, GaP, InP et autres. AIXTRON AIX 2400 G 3 dispose d'un système de chauffage de substrat robuste qui assure un contrôle précis de la température sur une gamme de températures de croissance allant de la température ambiante à 1 100 ° C Sa technologie propriétaire de wafer-flip améliore considérablement les performances et le débit d'uniformité, fournissant à la fois des capacités de traitement simple et multi-wafer. De plus, une unité de creuset à sept zones permet un contrôle efficace et précis des processus même pour les matériaux les plus complexes. AIX 2400 G3 offre également une fiabilité et des performances supérieures grâce à son design de chambre de pointe. Sa source de plasma à haut rendement offre des performances supérieures pour toutes les espèces de gaz réactifs, tandis que ses masses mobiles et ses joints céramiques assurent une excellente stabilité à long terme de la chambre. En outre, AIX 2400 G 3 dispose de fonctionnalités de sécurité avancées, y compris la surveillance automatisée des paramètres de processus et les contacts d'urgence. Ce réacteur de pointe offre également une plate-forme idéale pour la croissance de semi-conducteurs à large bande tels que le nitrure de gallium (GaN) et le nitrure d'aluminium (AlGaN). Avec les dernières avancées de sa technologie brevetée wafer-flip, AIXTRON AIX 2400 G3 offre une croissance uniforme de haute qualité, GaN et AlGaN. De plus, sa source de plasma, sa machine à creuset à sept zones et son outil de dépôt permettent un contrôle précis des réactifs, de la température et de la pression pour la fabrication de dispositifs optiques, électroniques et optoélectroniques haut de gamme. AIXTRON AIX 2400 G 3 offre aux utilisateurs les plus hauts niveaux de performance, de fiabilité et de contrôle, ce qui en fait un choix idéal pour la recherche de matériaux et d'appareils haut de gamme dans une multitude d'industries.
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