Occasion AIXTRON AIX 2600 G3 HT #293596198 à vendre en France

AIXTRON AIX 2600 G3 HT est un réacteur à haut débit à dépôt chimique en phase vapeur métallique organique (MOCVD) de pointe. Il est équipé de générateurs à basse pression, haute sortie créant des taux de dépôt élevés pour des couches minces épaisses, complexes et uniformes avec une excellente couverture d'étape. Avec la géométrie unique Inverted-L, il met le substrat en ligne directe dans le chemin de croissance des couches minces semi-conductrices. AIX 2600 G3 HT utilise AIXTRON excellence en MOCVD qui est la technologie dominante de dépôt de couches minces utilisée pour la production à grande échelle des matériaux et dispositifs semi-conducteurs composés du groupe III-V. Ce réacteur offre une grande homogénéité et répétabilité des couches minces grâce à l'augmentation du placement des entrées de gaz et à un meilleur contrôle des paramètres de dépôt tout en assurant une croissance épitaxiale très homogène et peu coûteuse. Le processus général commence lorsque le réacteur Inverted-L est chargé d'une cassette simple ou multi-plaquettes. Les systèmes semi-automatiques de chargement/déchargement assurent un processus de changement de substrat propre et ininterrompu. Un gaz de travail hydrogène tel que H2, N2 ou Ar permet, si nécessaire, de chauffer le substrat par le système micro-ondes embarqué à fréquence contrôlée jusqu'à 1100 ° C, tout en permettant une homogénéité maximale du champ de température. Le réacteur est en outre équipé d'un bulleur de gaz et d'un distributeur de gaz. L'application d'une épitaxie par faisceau moléculaire de source gazeuse (GSMBE) avec une tête de douche en quartz orientée vers le haut qui libère les précurseurs atomiques et moléculaires à remplissage rapide est essentielle à l'uniformité et à la reproductibilité du dépôt final de couche déposée. Le GSMBE crée une croissance du film uniforme et une excellente couverture par étapes, tout en permettant l'utilisation de précurseurs appropriés. De plus, des couches telles que des couches tampons, des couches de contact, des couches actives et des couches de passivation peuvent être ajoutées pour construire l'architecture de dispositif souhaitée. En tant que produit final, AIXTRON AIX 2600 G3 HT propose des dispositifs microélectroniques de haute performance entièrement intégrés, constitués de couches épitaxiées dédiées avec des contacts métalliques. Ce réacteur hautement avancé est l'outil parfait pour produire jusqu'à 200 mm de dispositifs optoélectroniques, haute puissance et hyperfréquences basés sur GaAs. Il permet une vitesse de dépôt supérieure et des temps de traitement courts répondant aux besoins de production de l'industrie des semi-conducteurs.