Occasion AIXTRON AIX 2600 G3 #9393354 à vendre en France

Il semble que cet article a déjà été vendu. Consultez les produits similaires ci-dessous ou contactez-nous et notre équipe expérimentée le trouvera pour vous.

Fabricant
AIXTRON
Modèle
AIX 2600 G3
ID: 9393354
Style Vintage: 2002
MOCVD System Process: GaAs Missing parts: Chiller EBARA Pump Filter 2002 vintage.
AIXTRON AIX 2600 G3 est un réacteur épitaxié haute performance utilisé pour des activités de recherche et développement. Il s'agit d'un équipement polyvalent capable de manipuler divers matériaux et procédés, tels que le recuit à haute température, la silicisation in situ et le dépôt en couche ultra mince. Le système est conçu pour répondre aux exigences communes de la taille du substrat, du contrôle de la température et de la répétabilité qui sont souvent nécessaires pour atteindre les performances du dispositif cible. AIXTRON AIX 2600G3 est capable de fonctionner en mode basse pression (< 10 mbar) et basse température (< 250 ° C), ainsi qu'en mode haute pression (> 10 mbar) et haute température (> 1000 ° C), ce qui permet un contrôle et une optimisation fiables des processus. L'unité de régulation avancée de la température et du débit assure une épitaxie uniforme pour les couches de base non endommagées, et la machine fournit un positionnement de haute précision pour une utilisation et un débit de matériaux maximaux. AIX 2600 G3 comprend un contrôleur tactile puissant, qui fournit une interface utilisateur intuitive et une surveillance en temps réel des paramètres de processus tels que la pression, la température et le débit. Cela garantit que les utilisateurs ont le contrôle total du processus et peuvent surveiller les résultats en temps réel. L'équipement est également équipé d'une large gamme de dispositifs de sécurité, tels qu'un dispositif d'interception à température excessive et un capteur de zone de chauffage inverse, pour assurer la sécurité du personnel et des matériaux. AIX 2600G3 a été conçu en mettant l'accent sur la fiabilité et les performances à long terme, les faibles coûts de maintenance et un haut niveau de contrôle des processus. C'est un outil polyvalent et performant, idéal pour la recherche et le développement de procédés épitaxiaux à base de substrat, tels que le dépôt en couches minces, le recuit et les procédés de dopage. Il convient également pour des applications avancées telles que la cavitation, le faisceau d'électrons et les procédés d'implantation ionique.
Il n'y a pas encore de critiques