Occasion AIXTRON AIX 2600 G4 HT #9160106 à vendre en France

AIXTRON AIX 2600 G4 HT est un réacteur à haut débit et haute performance pour la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs avancés. Il possède un certain nombre de caractéristiques de pointe dont une chambre de source chauffée complète, un astigmètre EF multi-canaux, un système de dépôt pECVD et une variété de supports de substrat montés planétaires. Cette combinaison joue un rôle clé dans le contrôle des processus à haute efficacité et à haute température. AIX 2600 G4 HT a une grande chambre de source faite d'un tube à quartz métallique à paroi épaisse qui est chauffé avec un réseau de fours électriques à zones multiples contrôlés indépendamment. Un système à débit de gaz réglable permet un contrôle précis des gaz réactifs utilisés dans les processus épitaxiaux. La chambre source est capable d'atteindre une température maximale de 1200 ° C L'unité électronique de transfert (UFE) du réacteur est un interféromètre laser astigmatique multi-canaux. Ce dispositif permet un contrôle précis de la pression source-chambre et fournit une rétroaction sur l'état de l'environnement de croissance pour la surveillance et l'optimisation des processus en temps réel. Par ailleurs, AIXTRON AIX 2600 G4 HT est équipé d'un porte-substrat planétaire. L'installation comprend un adaptateur télescopique pour faciliter la manipulation et la flexibilité dans le maintien du substrat tout en permettant la distribution simultanée de différents réactifs vers plusieurs positions du substrat. Cette capacité multi-positionnelle permet une plus grande flexibilité et uniformité des processus. Les couches épitaxiales cultivées dans le réacteur peuvent être encore caractérisées et surveillées par les systèmes pECVD, ou dépôt chimique en phase vapeur enrichi par plasma. Ces systèmes permettent d'analyser en temps réel la composition et l'épaisseur des couches directement à partir de la chambre de croissance. Cette technique avancée de dépôt utilise un champ électrique haute fréquence pour casser de petites quantités de molécules gazeuses réactives, utiles pour le dépôt de films diélectriques ainsi que d'oxydes minces. En conclusion, AIX 2600 G4 HT est un réacteur puissant pour la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs avancés. Ses caractéristiques de pointe telles que la chambre source chauffée, l'interféromètre laser à astigmatisme multi-canaux, le système de dépôt pECVD et la variété de supports de substrat montés sur planétaire le rendent idéal pour un contrôle des processus à haute efficacité et à haute température.