Occasion AIXTRON AIX 2800 G4 HT #9064064 à vendre en France
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ID: 9064064
Style Vintage: 2010
GaN MOCVD System
EpiTT
Second wave length: 405 nm
Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, TMIn-1, TMIn-2, TEGa-1
Thermal baths:
(5) RM 6S
(2) RM 25S
2010 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4 HT est un réacteur à haut débit (HT) pour un large éventail d'applications et de matériaux. Il s'agit d'une alternative performante et peu coûteuse aux systèmes classiques de production de semi-conducteurs. AIXTRON AIX 2800G4-HT utilise les technologies AIXTRON MOCVD et HDPCVD de premier plan de l'industrie pour fournir des rendements et une évolutivité des plaquettes plus élevés. Le réacteur AIX 2800 G4 est construit avec une architecture à double chambre. La chambre haute est une zone MOCVD à haute température, tandis que la chambre basse est une zone HDPCVD à basse température. Tous les composants du réacteur sont logés dans un environnement isolé et hermétiquement scellés pour maintenir les niveaux de température et de pression précis nécessaires à un dépôt efficace. AIX 2800G4 HT est conçu pour être facile à installer, à utiliser et à entretenir. L'AIX 2800 G 4 HT offre les meilleures précautions de sécurité, y compris les gaz d'échappement haut de gamme, les logiciels de diagnostic embarqués, les paramètres programmables et la surveillance intelligente des processus. En outre, AIXTRON AIX 2800 G 4 HT est capable de déposer une large gamme de matériaux en haute qualité et en grands volumes. AIX 2800 G4 HT est capable de produire des matériaux de qualité semi-conductrice avec un taux de croissance jusqu'à 20 um/h. AIX 2800G4-HT peut accueillir des plaquettes jusqu'à 6 "de taille et fournit des rapports contrôlables en 3D pour un contrôle précis des dépôts. De plus, les propriétaires AIXTRON AIX 2800G4 HT peuvent personnaliser leurs réglages de vitesse, de température et de pression pour optimiser le processus de dépôt pour leurs besoins spécifiques d'application. AIXTRON AIX 2800 G4 HT dispose également de capacités avancées de traitement du plasma, y compris le cyclage rapide et l'injection de gaz réactif. Les technologies AIXTRON MCVD et HDPCVD sont parfaites pour les matériaux tels que le silicium, le germanium et le silicium-germanium. De plus, la technologie exclusive AIXTRON Pulsed-System réduit les temps de dépôt et permet à AIXTRON AIX 2800G4-HT d'obtenir les résultats de processus souhaités dans un délai plus court. En résumé, AIX 2800G4 HT est un réacteur bi-chambre puissant et efficace haute température/basse température capable d'une variété de procédés de dépôt de semi-conducteurs. AIX 2800 G 4 HT est capable de manipuler des plaquettes jusqu'à 6 "de taille, de traiter des matériaux du silicium au germanium, et de fournir le contrôle précis nécessaire pour les matériaux de qualité semi-conductrice.
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