Occasion AIXTRON AIX 2800 G4 HT #9256418 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
AIX 2800 G4 HT
ID: 9256418
Style Vintage: 2011
MOCVD System Capacity: 42x2", 11x4", 6x6" Wiring: 4-Wire with Ground Hydride line: NH3-1, NH3-2, SiH4 MO Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, TMIn-1, TMIn-2, TEGa-1, TEGa-2 MFC: Horiba Temperature monitor: EPI TT Power supply: 400 / 230 V AC, 3 Phase 2011 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4 HT est un équipement de réacteur de pointe utilisé principalement dans le domaine de l'épitaxie des semi-conducteurs. Ce système est capable de réaliser des croissances de grande surface, permettant la production de CMOS à puce pleine et de dispositifs optoélectroniques avec de petites tailles de fonctionnalités. AIXTRON AIX 2800G4-HT est un réacteur à tête de douche horizontale à haut débit avec une conception en trois zones comprenant un préchauffeur inférieur, une chambre de croissance à haute température et un échangeur de chaleur. Dans la chambre de croissance à haute température, la haute température et la basse pression peuvent être maintenues et contrôlées avec précision. La tête de douche à haut débit assure un débit de gaz uniforme et une excellente uniformité de gaz du tube de pyrolyse et est conçue pour réduire la contamination de la chambre et produire moins de particules que les systèmes classiques. AIX 2800G4 HT est équipé de systèmes robustes de contrôle et de surveillance des processus pour un contrôle précis de l'épaisseur des couches et pour fournir une rétroaction détaillée des paramètres liés à la composition des couches. Ses systèmes d'analyse in situ fournissent des informations en temps réel sur la structure du réseau cristallin et la composition de la couche pendant le processus de croissance. AIX 2800 G 4 HT offre une gamme d'options pour contrôler les substrats, y compris une tête de douche pour le dépôt uniforme, un support de substrat statique avec une plage de température allant jusqu'à 1100 degrés Celsius, un élévateur de plate-forme à deux étages, et un mécanisme d'échange automatisé de substrat. Pour une efficacité maximale, la lame de substrat est équipée d'une option RTP (traitement thermique rapide) avec une plage de température allant jusqu'à 1045 degrés Celsius. AIXTRON AIX 2800G4 HT est une unité puissante et fiable bien adaptée aux applications de production. Cette machine est capable de produire une variété de matériaux avec une excellente qualité et reproductibilité, ce qui en fait un choix idéal pour les procédés de fabrication de semi-conducteurs à haut volume. Grâce à son outil de contrôle convivial, les utilisateurs peuvent facilement ajuster et surveiller les paramètres de leur croissance pour obtenir des résultats optimaux. AIXTRON AIX 2800 G 4 HT est équipé de nombreuses caractéristiques de sécurité pour un fonctionnement fiable, telles que des embrayages, des alarmes et un porte-substrat de sécurité intégré.
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