Occasion AIXTRON AIX 2800 G4 #9394709 à vendre en France
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Vendu
ID: 9394709
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2008
MOCVD System, 4"
GaN Process
Epitaxy reactor
2008 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4 est un équipement de pointe PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) pour la production industrielle de divers substrats saphir à couches minces (PSS) et revêtements structurés. Le réacteur est conçu pour fournir la plus haute performance et la plus grande flexibilité dans le dépôt de couches minces. La caractéristique la plus notable d'AIXTRON AIX2800G4 est sa puissante source d'ICP (plasma inductif couplé). Cette source intègre un générateur ICP de deuxième génération, ainsi qu'un contrôleur de puissance spécialement conçu. Le contrôleur de puissance fournit jusqu'à 5 niveaux de puissance différents, ce qui permet aux utilisateurs d'ajuster les paramètres du plasma à la volée. Ce contrôle amélioré des conditions plasmatiques permet une épaisseur de revêtement uniforme et une excellente uniformité des couches de dépôt chimique en phase vapeur (PECVD). AIX 2800G4 dispose également d'un système d'alimentation en gaz de position de haute précision pour les gaz réactifs et les gaz de purge. Il comprend un régulateur de pression automatisé, des soupapes de débit et un collecteur multi-zones pour alimenter la source du PIC en gaz réactifs. Ceci permet aux utilisateurs de contrôler avec précision l'entrée de gaz purs et réactifs, contrôlant ainsi avec précision la vitesse de dépôt du film. AIX 2800 G 4 est capable de répondre aux normes les plus élevées du marché mondial en termes de contrôle de dose précis et précis. En tant que réacteur conçu pour la production de PSS, AIX 2800 G4 est livré avec une conception de chambre de réacteur double qui est optimisé pour permettre un revêtement précis et uniforme sur PSS. Cette conception à double chambre comprend une chambre haute intérieure pour le dépôt de film et une chambre basse extérieure pour le conditionnement. Le contrôle précis de la température et de la pression de ces deux chambres permet un contrôle extrêmement précis de la pression et de la température dans la chambre de dépôt, d'où une uniformité des couches de PSS. Le réacteur présente également une grande précision de positionnement et une grande uniformité. Cela signifie qu'il est capable de positionner avec précision les masques et les pochoirs afin d'obtenir la résolution la plus élevée possible pour la production de PSS. L'unité peut même être utilisée pour le dépôt assisté par laser à haute résolution (HRLAD) de PSS. Dans l'ensemble, AIXTRON AIX 2800 G 4 est un réacteur PECVD puissant et précis qui offre des performances et une flexibilité de pointe dans l'industrie. Son générateur PCI avancé et son outil d'alimentation en gaz positionnel permettent un contrôle précis des paramètres plasmatiques et des gaz réactifs, tandis que sa conception en chambre à deux réacteurs assure un dépôt et un traitement précis des PSS. Sa haute précision de position et son uniformité le rendent idéal pour la production de PSS haute résolution.
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