Occasion AIXTRON AIX G5 HT #9074863 à vendre en France
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Vendu
ID: 9074863
Style Vintage: 2011
MOVPE Planetary Reactor
Includes Transfer Module
Application: 14x4" wafer deposition
Planetary Reactor System:
Cabinet with lining
Stainless steel reactor chamber: water-cooled, vertical lid lifting mechanism
High Growth Rate (HGR) injector: water-cooled, SiC coated graphite planetary disk, sandwich design
Max. light-pipe temperature: 1250ºC
SiC coated graphite wafer holder (satellite) with Gas Foil Rotation
(2) In-situ monitoring viewports from top
Ferro-fluidics feedthrough for main rotation with rotation monitoring
Center purge line
Thermostated reactor chamber ceiling
Graphite exhaust collector and outer liner to prevent deposition on chamber wall
Individual Satellite Rotation Drive (EqiSat)
Glove box
Main Gas Blending Unit
RF-Heating Unit
Vacuum Cleaner for glove box
Vacuum System
Large Particle Trap for nitride application
Process pump
Automated satellite transfer system for high temperature operation (600ºC)
Computer Control System
Remote PC
Safety System
Gas Handling System:
(5) MO-G1 Standard Metal-Organic Channel (2xTMGa/H2, 2xTEGa/N2, 1xTMAI/H2)
(2) MO-G1-D Double Standard Metal-Organic Channel (2xCp2Mg/H2, 2xTMIn/N2)
(1) MO-G2-T Triple Standard Gas Channel (3xNH3)
(1) MO-G3_Double Dilution Metal-Organic Channel (N.N./N2)
(1) MO-G4 Double Dilution Gas Channel with additional pusher (1xSiH4/H2)
(1) MO-G5-10M Vacuum Lines
(3) MO-G6 Dummy Line (2xMO, 1xHydride Top run/vent)
(1) N2/H2 Separation of two MO-Stacks
(2) N2/H2 Mixture unit for one Run/Vent Stack (1xMO Run/Vent)
(2) MO-Differential Vent-Run Pressure Balancing (2xMO Run/Vent)
(2) Upgrade Thermo Bath
MO-Standard Gas Channel (5% Cl2/N2 for reactor clean)
EpiCurve TT TWO:
Emissivity corrected pyrometry at 950nm
Individual wafer measurement of surface temperature
High position resolution
Real-time measurement
Temperature accuracy: +/-1K
Growth rate measurement at selectable second wavelength: 950 +405nm for GaN
19" Electronic controller, including light source and detector
User manual and CD software
Purification:
(2) Moisture Sensor (H2, N2):
DP measurement range possible down to -120ºC (1ppb)
Integration of Read-Out Value into control system
Purifier Cl2
Extensions:
Vacuum Tweezer
N2 gun for glove box
Cl2 Scrubber: Cleansorb CS200SE
2011 vintage.
AIXTRON AIX G5 HT est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) haute performance et à haut débit utilisé pour la fabrication de matériaux et dispositifs avancés tels que les semi-conducteurs. Le réacteur utilise des procédés très sophistiqués pour assurer l'exposition correcte de divers matériaux aux composants du plasma et de la chambre du substrat. Domaine d'applications importantes AIXTRON AIX G 5 HT est capable de produire un large éventail de matériaux d'une manière rentable. Elle est bien connue dans l'industrie pour sa grande sélectivité sur différents substrats de matériaux, allant du silicium à des matériaux performants tels que l'arséniure de gallium pour des applications électroniques et optoélectroniques. En outre, des procédés de production et de contrôle des procédés hautement reproductibles permettent un contrôle dimensionnel et structurel accru et l'uniformité des films déposés sur de grandes surfaces. Technologies de procédés programmables G5 HT AIX G5 HT offre une série de technologies de procédés qui sont essentielles au succès de tout dépôt de matériaux. Les sources de dépôt programmables permettent aux utilisateurs de travailler avec diverses espèces réactives, tandis que les systèmes d'alimentation en gaz permettent l'utilisation de gaz porteurs pour l'alimentation des espèces réactives dans la chambre de réaction. De plus, les alimentations de générateurs haute fréquence peuvent générer des formes d'ondes entièrement personnalisées pour augmenter l'adhérence et améliorer l'uniformité des films. Sources de plasma et chauffage des substrats La technologie de haute performance des sources de plasma et de chauffage des substrats en AIX G5 HT permet une production précise des films avec un meilleur contrôle de la composition chimique, structurelle et mécanique des films sur de grandes surfaces. La source de plasma dans le G5 HT est assez puissante pour réaliser des processus de gravure et de dépôt rapides et fiables, qui sont essentiels pour la production de dispositifs semi-conducteurs avancés. Sécurité et conformité réglementaire AIXTRON AIX G5 HT est conçu en pleine conformité avec les règlements de sécurité pertinents, afin d'assurer un fonctionnement sûr et une sécurité optimale pour le personnel d'exploitation. De plus, le réacteur est surpressé et sous pression pour permettre une évacuation rapide des matières et vapeurs dangereuses. Enfin, AIXTRON AIX G 5 HT est conçu pour l'efficacité énergétique et il peut fonctionner en mode semi-scellé pour assurer des temps de processus longs.
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