Occasion AIXTRON Crius 30 X 2" #9032566 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
Crius 30 X 2"
ID: 9032566
Style Vintage: 2007
CCS/IC MOCVD GaN system Electrical cabinet Gas mixing cabinet Reactor cabinet Glove box cabinet Heater power supply unit Heat exchanger Vacuum system Temperature range: Storage: 10º-50º C; During condition: 15º-25º C Relative humidity: Storage: 30-80%; 45-80% Voltage: 400 V +/- 5% (3/N/PE); 208 V +/- 5% (3/N/PE) Frequency: 50 Hz +/- 1% for 400 V; 60 Hz +/- 1% 208 V Power consumption: Approx. 28 kVA for system; approx. 110 kVA for power supply, cabinet Max power consumption: 110 kVA Gas mixing cabinet/electrical cabinet: 2 ventilation ducts, ∅250mm => 750 m3/h each Process gases: Type of gas: e.g. NH3, HCl Purity: ≥ 5.0 N (free of condensate) Inlet pressure range: 3, 3.5 bar Pneumatic supply: Quality: Clean, dry 5 um filtered Pressure: 5,7 bar Temperature: Approx. 20º C Cooling water: Inlet temperature: 17-25º C Temperature stability: +/- 1º C Inlet pressure (max): 6.5 bar Outlet pressure (max): 2.5 bar Pressure difference inlet/out: > 4 bar Minimum total flow: 50 l/min RF generator board is nonfunctional 2007 vintage.
AIXTRON Crius 30 X 2 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) à deux plateaux. Il est utilisé pour le dépôt de couches minces de haute qualité, telles que des oxydes et des nitrures, sur divers substrats dont le silicium, les métaux, les diélectriques et les polymères. Sa conception à deux plateaux permet de traiter des substrats de plus grand diamètre et de plus grande surface par rapport aux systèmes PECVD monoplace. Le Crius 30 X 2 possède une chambre de traitement de 30 cm, qui est conçue pour le dépôt uniforme et contrôlé de couches minces en utilisant des CVD renforcés par plasma ainsi que des variables de processus contrôlées par ordinateur telles que la pression, la température du substrat et les flux gazeux. Il dispose également de zones d'homogénéité de chambre de travail réglables, permettant aux utilisateurs de répartir leurs conditions de processus sur des zones spécifiques du substrat. Le processus PECVD est alimenté par un générateur de fréquence radio (RF) breveté de 1,8 kW qui fonctionne à 13,56 MHz. Il est conçu pour fournir une puissance RF accordable pour les électrodes des plateaux et la polarisation du substrat. Le système permet jusqu'à 100 watts de puissance RF par plateau. La machine comprend un logiciel avancé et un système de contrôle qui fournit une interface utilisateur facile, un contrôle amélioré des processus, et une surveillance automatisée de la qualité. Les débits de dépôt sur le Crius 30 X 2 sont réglables entre 0,1 et 10 microns/minute. Les taux de dépôt dépendent du type de substrat et des gaz utilisés. La température maximale est limitée à 350 ° C, mais peut être inférieure pour certains substrats. De plus, le procédé PECVD peut être utilisé pour déposer des films minces multicomposants multicouches avec une excellente reproductibilité. Le Crius 30 X 2 est également très fiable, car il est conçu avec des pièces de structure qui sont reliées par des broches d'alignement précises pour assurer une planéité et une répétabilité supérieures du lit. Sa conception modulaire rend la maintenance et le service relativement facile, et elle est adaptée aux lignes de production industrielles. En conclusion, AIXTRON Crius 30 X 2 est un système avancé PECVD pour le dépôt de couches minces de qualité qui est conçu avec fiabilité et précision à l'esprit. Sa conception à deux plateaux permet un traitement de substrat plus grand et plus précis que les systèmes monoplans, et ses zones d'homogénéité de chambre de travail réglables permettent un contrôle de processus plus précis. Son générateur RF avancé et son logiciel le rendent adapté à la fois aux lignes de production industrielle et à la recherche en laboratoire.
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