Occasion AIXTRON Crius 31x2 #293587443 à vendre en France

AIXTRON Crius 31x2 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) conçu pour optimiser la croissance cristalline de matériaux tels que les semi-conducteurs III-V, II-VI et oxyde. Il est conçu avec une disposition hétérogène à basse pression et utilise une tête de douche à bras oscillant, permettant un haut degré d'uniformité sur le substrat. L'équipement est équipé d'un système de distribution de liquide et de gaz, ainsi que d'une source de plasma à résonance cyclotron électronique (ECR), permettant un contrôle précis de deux espèces distinctes de gaz réactifs dans le processus. Le Crius utilise une chambre de procédé basse pression (2 - 150 mbar) pour gérer la croissance de divers matériaux et présente une solution économique unique pour fournir des matériaux cristallins de haute qualité et de grande surface. AIXTRON CRIUS 31 X 2 est une chambre de réaction qui peut faire pousser de multiples couches de cristaux fabriqués à partir d'un substrat en utilisant des procédés avancés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et de CVD amélioré par plasma (PECVD). Le réacteur fonctionne à basse ou moyenne pression avec une tête de douche homogène de type cluster, ce qui offre une homogénéité exceptionnelle sur tout le substrat et une excellente compatibilité avec d'autres techniques de traitement avancées. La source ECR appliquée dans le processus assure l'uniformité du processus. La technologie de pointe de Crius 31x2 le rend adapté à la croissance de métaux à couches minces, d'oxyde métallique, de silicium polycristallin et d'autres matériaux stratifiés pour diverses applications telles que la fabrication d'écrans et de semi-conducteurs, les communications et les industries MEMS (Micro-Electro-Mechanical Unit). Le réacteur est équipé de deux supports de substrat indépendants, permettant de traiter l'un pendant le chargement et le déchargement de l'autre. La machine dispose également d'une tête de douche à bras oscillants réglable, qui offre une parfaite uniformité sur le substrat. Le réacteur dispose également d'une plage de température élevée de 300-1000 ° C, ce qui améliore les taux de croissance avec des besoins de pression extrêmement bas, ce qui en fait l'outil idéal pour les procédés qui nécessitent des conditions très précises et contrôlables. CRIUS 31 X 2 est la solution idéale pour la recherche, le développement et les applications qui nécessitent des processus hautement personnalisables, permettant aux spécifications des clients d'être facilement adaptées à leurs exigences de processus.