Occasion AIXTRON Crius 31x2 #293587450 à vendre en France

AIXTRON Crius 31x2 est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) développé pour la croissance de matériaux à couches minces pour l'industrie des semi-conducteurs. Le système intègre une chambre de procédé de 31 cm x 2 cm avec une technologie de pointe pour la croissance du film, y compris une nouvelle source RF/DC magnétron, deux têtes de douche quartz, deux entrées de gaz de procédé, deux soupapes de contrôle de la pression du processus, une unité de contrôle du plasma pilotée par logiciel et un analyseur de gaz de procédé. La machine PECVD est conçue pour assurer un contrôle et une régulation précis des paramètres de dépôt tels que la température, les concentrations de gaz de procédé, la puissance de la tête de douche et la composition chimique de la zone de dépôt. Il est également capable de sélectionner des espèces pro-filtrage afin d'améliorer l'efficacité du processus. La source magnétron RF/DC est une conception avancée, qui combine les caractéristiques d'une source RF classique avec une source de courant continu et offre une meilleure capacité à contrôler l'ionisation des gaz réactifs. L'outil utilise à la fois une tête de douche à quartz et un creuset à quartz pour le processus de formation du film. Ces composants maintiennent l'homogénéité du film en permettant une combinaison uniforme des paramètres de dépôt dans la zone plasma. Il dispose également de deux entrées de gaz de procédé et de deux soupapes de contrôle de pression de procédé pour permettre un contrôle précis du débit de gaz. De plus, l'actif comprend un modèle de contrôle du plasma piloté par logiciel qui comprend des systèmes de contrôle pour le gaz de procédé et le contrôle de la température. La chambre de traitement thermique présente un design avancé qui est optimisé pour minimiser la contamination par les particules et fournir un environnement adapté à la formation de films de haute qualité. La combinaison de paramètres de processus, d'un équipement de surveillance automatisé, de la source magnétron RF/DC et d'un creuset à quartz garantit que le système peut fournir un contrôle optimal du processus et une zone de croissance de film extrêmement uniforme. L'unité offre également de nombreuses fonctions de sécurité, y compris une machine de purge automatisée des chambres, un outil de contrôle du dioxyde de soufre pour limiter la contamination par le gaz et un interrupteur de panne au sol pour protéger contre les risques électriques. De plus, le modèle est équipé d'un analyseur de gaz de procédé pour surveiller la composition de la zone de dépôt et assurer un environnement homogène pour la croissance des films. AIXTRON CRIUS 31 X 2 fournit une plate-forme fiable et précise pour la croissance PECVD de différents types de matériaux à couches minces, parfait pour une variété de besoins de fabrication. Avec sa conception très efficace, il offre des performances inégalées pour la production de matériaux semi-conducteurs de haute qualité et assure les normes les plus élevées de qualité et de fiabilité pour l'industrie de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.