Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9186411 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
Crius 31x2"
ID: 9186411
Style Vintage: 2009
MOCVD System 2009 vintage.
AIXTRON Crius 31x2 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de haute technologie conçu pour le dépôt à très haut débit et le conditionnement en surface des matériaux. Doté d'une grande zone chauffée de 2,5 pouces de diamètre, le 31x2 offre une homogénéité de température supérieure et une répartition thermique uniforme des films et des surfaces hétérogènes. Ceci rend le réacteur idéal pour la modification de surface de matériaux avancés tels que le graphène et les composites de nanowire. Le Crius 31x2 utilise un procédé CVD (PA-CVD) efficace et à basse température, qui permet le dépôt de films métalliques et d'oxydes métalliques sous des régimes efficaces, à basse pression et en température. Ce procédé a montré une efficacité accrue, une uniformité exceptionnelle de l'épaisseur du film et des surfaces contrôlables et reproductibles. Un avantage supplémentaire du Crius 31x2 est le débit élevé du procédé par rapport aux autres procédés traditionnels de dépôt thermique. En utilisant du plasma, le réacteur est capable de déposer des films 3 à 5 fois plus rapidement que les procédés thermiques. Le réacteur Crius 31x2 dispose d'un recaleur thermique rapide (RTA) pour le conditionnement de surface des matériaux. Le RTA est intégré dans la chambre pour effectuer un recuit thermique rapide sur une large gamme de températures. Cela permet une meilleure activation de la surface des matériaux, l'élimination des contaminants et la restructuration de la surface. Le RTA est également capable d'effectuer des traitements thermiques post-dépôt. Le 31x2 est également équipé de systèmes d'injection de gaz indépendants pour un contrôle précis et uniforme des flux de gaz. Cela permet de surveiller étroitement les gaz de procédé et de les contrôler étroitement, ce qui permet aux utilisateurs de contrôler à un niveau élevé les réactions CVD. La commodité de cette fonction garantit que les conditions et les paramètres du processus de dépôt peuvent être ajustés avec soin et précision pour produire les produits et les matériaux désirés. Le Crius 31x2 offre également un système de cendre de plasma catalytique spécialisé, ainsi qu'un creuset refroidi à haute température spécialisé conçu pour supporter des taux de dépôt ultra-élevés. Ce système est entièrement numérique, avec une interface utilisateur simplifiée pour un contrôle et un fonctionnement faciles. AIXTRON Crius 31x2 est un procédé CVD puissant, intuitif et efficace, personnalisé pour le dépôt de matériaux avancés. Ses caractéristiques et technologies uniques ont amélioré le débit, l'uniformité et la reproductibilité, permettant d'améliorer la qualité de la surface du matériau.
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