Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9283178 à vendre en France

Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est un outil sophistiqué et très efficace utilisé pour la production de matériaux à couches minces. Il utilise la technologie du plasma à résonance cyclotron électronique (ECR) pour créer une source puissante d'électrons ionisants qui peuvent être utilisés pour réagir aux atomes et aux molécules dans l'environnement des couches minces. Cette technologie permet la production et le dépôt rapides de couches minces de haute qualité dans un processus respectueux de l'environnement. Le réacteur AIXTRONCrius 31x2 est composé de trois parties principales : (1) la source de plasma ECR, (2) la chambre du réacteur et (3) le porte-substrat. La source de plasma ECR est constituée d'une série d'électrodes à aimants permanents à isolation magnétique alimentées par des sources radiofréquence (RF) pour générer un environnement plasma à haute énergie au sein du réacteur. La source de plasma est conçue pour maintenir une répartition constante et uniforme de la densité de puissance dans la chambre du réacteur, ce qui permet une efficacité maximale dans le dépôt en couches minces. La chambre du réacteur est elle-même composée d'une série de bobines de cuivre solidaires - et très conductrices - assurant une température uniforme sur les parois internes de la chambre. Un système de vide fixé à la chambre permet l'introduction des gaz nécessaires au dépôt de couches minces et le conditionnement des parois de la chambre pour une croissance optimale des couches minces. Le support de substrat est conçu spécifiquement pour contenir une variété de substrats en couches minces comme le verre, le quartz et le silicium. Les substrats sont ensuite filetés à travers les bobines magnétiques et exposés à l'environnement plasma intense. Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est programmé pour plusieurs procédés de dépôt différents, selon la composition des matériaux et matériaux nécessaires. Ce réacteur utilise une technique de pulvérisation à basse pression pour déposer des substrats métalliques, semi-conducteurs ou à couches minces isolantes. Pour ce faire, on introduit un gaz inerte dans la chambre et on lui permet de réagir avec un matériau cible pour générer des particules chargées qui se déposent sur le matériau à couches minces. Ce procédé est très efficace et produit une qualité de film supérieure et une uniformité dans son large éventail d'applications. Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est également capable de réaliser d'autres processus plus complexes comme la gravure par faisceau d'ions réactifs, ce qui peut améliorer la qualité de surface du matériau cible et augmenter son adhérence. De plus, le réacteur AIXTRON Crius 31x2 utilise une série de capteurs de rétroaction pour garantir des conditions optimales pour un dépôt rapide et fiable en couches minces. Cela fait du réacteur AIXTRON Crius 31x2 l'outil idéal pour les installations nécessitant une production efficace de couches minces pour de nombreuses applications différentes.