Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9300899 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
Crius 31x2"
ID: 9300899
Style Vintage: 2008
MOCVD System 2008 vintage.
AIXTRON Crius 31x2 est un réacteur de croissance par film (EFG) défini en bordure pour le dépôt épitaxial de matériaux semi-conducteurs. Il s'agit d'une plate-forme de dépôt à haut débit et économique, conçue pour la production et la recherche. Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est équipé d'un chargeur de plaquettes double face, qui peut supporter jusqu'à 150 mm (6 pouces) de dimensions de plaquettes, pour améliorer le débit des plaquettes. Il peut également traiter jusqu'à huit plaquettes par côté, permettant des temps de cycle courts. AIXTRON Crius 31x2 est équipé d'un équipement de dépôt assisté par micro-ondes (MWAD) pour la production de plasma. On obtient ainsi un champ plasma très réactif, peu énergétique et pénétrant en profondeur, permettant des taux de dépôt élevés et des films supérieurs. Le système MWAD efficace permet à AIXTRON Crius 31x2 de fournir un processus de dépôt efficace et rentable. Il est capable de produire des couches épitaxiales de haute qualité avec une bonne homogénéité et une excellente couverture d'étape à partir de substrats de qualité. Les assemblages EFG source et support de substrat sont conçus pour une personnalisation facile pour répondre aux besoins spécifiques des clients. Les détenteurs de sources utilisent des antennes RF pour optimiser les paramètres du procédé pendant le dépôt. La source EFG peut être ajustée manuellement pour un traitement précis et un réglage fin. Les supports de substrat comportent un ensemble cible à huit éléments et trois zones pour un chauffage uniforme du substrat. Une unité d'échappement à vitesse réglable fournit des conditions de pression optimales et un environnement contrôlable. AIXTRON puissant logiciel de contrôle des processus fournit une interface conviviale pour la configuration et la surveillance facile de la machine. L'opérateur peut ajuster des paramètres tels que les débits de gaz, les niveaux de puissance, la température du substrat et la pression atmosphérique. L'outil fournit des informations en temps réel pour évaluer et optimiser le processus de dépôt épitaxial. AIXTRON Crius 31x2 est une plate-forme de dépôt fiable et efficace pour produire des structures de couches minces avancées. Le processus de dépôt RF-amélioré efficace grâce à cette plate-forme en fait une solution idéale et rentable pour les applications industrielles et de recherche. C'est un outil efficace pour produire des films épitaxiés de haute qualité avec uniformité et une superbe couverture d'étape.
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