Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9353181 à vendre en France

AIXTRON Crius 31x2 est un réacteur à deux chambres de dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) conçu pour la production de matériaux semi-conducteurs et photovoltaïques. Il est composé de deux chambres CVD métalliques, reliées à une unité de base commune. Les deux chambres CVD sont conçues pour faciliter la réalisation de couches minces homogènes et le dépôt de couches épitaxiales de haute qualité. La première chambre, la chambre de procédé, est utilisée comme chambre de production de matériaux tels que l'arséniure de gallium (GaAs), l'arséniure de gallium (AlGaAs), l'arséniure de gallium (GaAlAs), l'arséniure d'aluminium (AlAs) et le phosphure d'indium (InP). A l'intérieur de cette enceinte, on peut réaliser des procédés tels que le dépôt homogène en couches minces et le dépôt épitaxié de meilleure qualité. Une particularité de cette chambre est la source de plasma RF, qui aide à contrôler le taux de croissance et la pureté stoechiométrique du film. La deuxième chambre, la chambre de cuisson, est utilisée pour préparer le substrat en vue d'un traitement ultérieur. Cette chambre aide à réduire la couche d'oxyde de surface dans l'échantillon, permettant des taux de croissance plus élevés et des caractéristiques de matériau améliorées. La température de l'échantillon pendant la cuisson peut être manipulée simplement en changeant les réglages du contrôleur de température programmable. De plus, cette chambre fonctionne en combinaison avec un équipement de purge des gaz d'échappement chauffés et filtrés pour aider à minimiser la contamination dans la chambre. Un préchauffeur est relié aux deux chambres CVD qui est chargé d'élever rapidement la température du substrat aux niveaux souhaités et de répartir uniformément la chaleur dans les deux chambres. Le préchauffeur est relié à un régulateur de température programmable afin que la température puisse être contrôlée et contrôlée avec précision. L'unité de base d'AIXTRON Crius 31x2 contient l'alimentation principale, les pompes à vide, le système de mélange de gaz et l'électronique. Les pompes à vide servent à pomper le gaz qui réagit et forme des dépôts sur les deux chambres. L'unité de mélange de gaz facilite l'addition de gaz dans la chambre de traitement. L'électronique contrôle l'ensemble de la machine et est responsable de la surveillance et du contrôle des paramètres du processus comme la température, la pression et le débit de gaz. AIXTRON Crius 31x2 offre une solution multi-chambres fiable pour la production de matériaux semi-conducteurs et photovoltaïques. Il est équipé de la technologie la plus récente pour la manipulation rapide et précise de la température, et fournit un environnement propre à l'aide d'un outil de purge des gaz d'échappement chauffés et filtrés. L'intégration d'un préchauffeur pour un transfert rapide et régulier de chaleur assure un dépôt de qualité des couches minces et épitaxiales.