Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9353183 à vendre en France

Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est un équipement de production haute performance conçu pour les technologies cristallines, semi-conductrices composées et LED. Il est capable de fournir un contrôle robuste des processus et des résultats de production uniformes, ainsi que de permettre la croissance de plus grandes plaquettes avec des dopants de type p et n. Le Crius 31x2 est idéal pour les appareils électriques basés sur SiGe et InGaN, les substrats de grande surface tels que les OLED et les couches multiépis dopantes. Le réacteur AIXTRON Crius 31x2 est une chambre PECVD monobloc, non conforme et confinée magnétiquement. Il combine l'activation plasma RF et un système efficace de chauffage par induction haute fréquence en une seule unité. L'unité est capable de fonctionner jusqu'à 1000 ° C et de fournir un dépôt thermique ultra bas, ce qui est essentiel pour améliorer le rendement épitaxial et la cristallinité. L'unité est également équipée d'une machine pour les capacités de mesure optique pour produire des couches de dispositifs très uniformes et pour surveiller les conditions de chambre pour l'optimisation et le contrôle des processus. Le 31x2 utilise 31 recettes standard prédéfinies pour différents processus qui sont adaptés aux applications spécifiques. Ces recettes sont pré-installées sur l'appareil et peuvent être adaptées aux exigences spécifiques du processus de l'utilisateur. L'unité est équipée de sources RF doubles avec la possibilité d'influence parallèle, série ou de fréquence radio divisée. Cette configuration dynamique permet un traitement de haute précision et une uniformité entre les couches. Le Crius 31x2 est un outil de production robuste qui peut être utilisé pour des applications telles que les appareils SiGe de puissance, les plaquettes LED et OLED, et les films semi-conducteurs composés. Ses capacités d'optimisation intégrées en font un choix idéal pour la fabrication de semi-conducteurs composés avec des couches uniformes et une contrainte thermique minimale. Le haut débit et le contrôle des processus permettent une production rapide de couches de film avec un contrôle précis tout en maximisant le temps de disponibilité.