Occasion AIXTRON Crius 31x2" #9390892 à vendre en France

AIXTRON Crius 31x2 est un réacteur d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) de pointe conçu pour la recherche sur les semi-conducteurs. Doté d'une conception à trois chambres, d'une source de gaz réactive, d'une alimentation RF/DC haute performance et de systèmes de diagnostic in situ, il offre un contrôle de processus et une qualité d'épilaison supérieure. Le Crius 31x2 possède trois chambres : une chambre de croissance, une chambre de serrure et une chambre de gravure. La chambre de croissance, qui abrite le substrat et la source RF, possède 3000 centimètres cubes de volume maximal de la chambre, permettant un dépôt de matière plus important. La chambre de serrure est utilisée pour le chargement des échantillons et la mise à disposition des échantillons pour la chambre de traitement. La chambre de gravure est utilisée pour les taux de gravure des échantillons et le nettoyage des échantillons. La source de gaz réactif intégrée du Crius 31x2 fournit des gaz très réactifs précisément pour l'élimination des sources limites et la croissance des matériaux. L'alimentation RF/DC haute performance intégrée avec une puissance réglable jusqu'à 500 watts offre une uniformité de processus et une qualité de couche épi élevée. Les systèmes de diagnostic in situ, tels que l'ellipsomètre, STEM, LEED et RHEED, permettent une surveillance en ligne du substrat, des épi-couches et de la caractérisation des échantillons, améliorant grandement le contrôle des processus. Le Crius 31x2 est capable de produire des épi-couches avec différentes couches de principe de III-V, IV/II-VI à des matériaux à larges bandes passantes sous forme monocristalline. Il fonctionne dans des conditions de vide ultra-élevé pour la croissance des matériaux vierges. Il est également équipé de diverses technologies, telles que l'ensemencement Zn, le recuit et l'interdiffusion, pour augmenter encore la qualité de la couche épi. Le Crius 31x2 est un réacteur MBE de pointe conçu avec un contrôle de processus supérieur et une qualité de couche épi à l'esprit. Il est capable de produire une grande variété de couches épi à partir de III-V, IV/II-VI et de larges matériaux bandgap avec une homogénéité, une qualité et une reproductibilité supérieures. Il s'agit d'un outil précieux pour la recherche avancée sur les semi-conducteurs dans diverses industries, telles que l'électronique grand public, l'automobile et les télécommunications.