Occasion AIXTRON Crius I #192608 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
Crius I
ID: 192608
Reactor, 31x2 GaN Configured for 31x2, can be upgraded for 37x2, 8x4 or other configurations System has EpiCurve and Twin TT installed (2) RM 25S and (4) RM 6S thermal baths Source Configuration: TMGa-1, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, Cp2Mg-3, TMIn-1, TMIn-2, TMGa-2, and 4 spare source lines Currently installed 2008 vintage.
AIXTRON Crius I est un réacteur épitaxié polyvalent pour le dépôt de films semi-conducteurs composés. C'est un outil CVD à paroi horizontale à froid de 300mm, équipé de multiples techniques de processus telles que LPCVD, PECVD, EPI et MBE. Les chambres Crius I sont conçues pour une large gamme de températures, permettant des dépôts à haute température (HT) allant jusqu'à 1000 ° C ainsi que des dépôts à basse température (LT) allant jusqu'à 100 ° C Les fonctions avancées de contrôle de processus d'AIXTRON Crius I permettent un contrôle dopant de précision, un contrôle de température serré, un contrôle de puissance précis et des débits de gaz sur mesure. Crius I offre des fonctions de surveillance optique robustes, avec des mesures d'épaisseur de film en temps réel et d'émissivité qui permettent à l'utilisateur de surveiller chaque couche de processus et de s'assurer que tous les films répondent aux normes de qualité les plus élevées. AIXTRON Crius I est une plate-forme hautement automatisée, permettant aux utilisateurs de configurer et de sauvegarder les paramètres des chambres, ainsi que les profils des recettes. Le Crius dispose également de fonctionnalités supplémentaires telles que le contrôle de rétroaction en boucle fermée, des mécanismes de sécurité en cas de défaillance pour prévenir les arcs de plasma, et un équipement vidéo qui permet à l'utilisateur de surveiller les processus en temps réel. Crius I offre une homogénéité exceptionnelle sur plusieurs plaquettes, avec une non-uniformité maximale sur le substrat inférieure à 1 %. AIXTRON Crius I dispose également de multiples options pour la manutention des plaquettes et des cassettes, avec plusieurs ports de chargement des plaquettes pour les possibilités d'échange des plaquettes et cassettes. Le Crius est capable de se déposer sur des substrats simples ou multiples en parcours par lots. Crius I dispose d'un système de refroidissement dynamique des plaquettes, avec des zones de refroidissement simples ou multiples permettant un contrôle supérieur du taux de croissance et de l'efficacité maximale. AIXTRON Crius I dispose également d'un chargeur et d'un déchargeur intégrés pour une flexibilité et une productivité maximales. En conclusion, Crius I est un réacteur polyvalent de 300mm capable de déposer HT et LT. Il s'agit d'une plate-forme robuste et bien conçue qui garantit la précision du contrôle des dopants et la stabilité de la température, permettant à l'utilisateur de produire des films semi-conducteurs composés de haute qualité. Les fonctions de surveillance optique avancée d'AIXTRON Crius I, l'unité de refroidissement dynamique et la machine de chargement/déchargement intégrée en font un excellent choix pour les procédés avancés de dépôt de semi-conducteurs composés.
Il n'y a pas encore de critiques