Occasion AIXTRON Crius I #9065476 à vendre en France

AIXTRON Crius I est un réacteur de gravure à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) conçu pour un large éventail d'applications industrielles et académiques de R&D. Ce réacteur innovant supporte des procédés tels que l'épitaxie, le dépôt de silicium polycristallin, le dépôt de métal réfractaire et le dopage de couches minces. Crius I se compose d'une chambre de procédé à quartz, d'un générateur RF, d'un équipement de distribution de gaz in situ, d'un système de pompage sous vide et d'un contrôleur CVI avancé. La chambre à quartz d'AIXTRON Crius I a été conçue pour une flexibilité maximale du processus. L'intérieur de la chambre est équipé de boucliers de chambre en quartz, qui sont conçus pour minimiser la contamination et optimiser l'uniformité de l'ensemble du processus. La conception de la chambre assure une répartition uniforme des gaz et une uniformité thermique. De plus, les blindages de chambre réduisent la condensation par évaporation, augmentant ainsi la fiabilité et la répétabilité du procédé. Le générateur RF est conçu pour fournir une source d'alimentation RF réglable dans la chambre. Cela aide à contrôler les paramètres du processus, tels que la vitesse de dépôt, la température du substrat et la composition du gaz. Le générateur est équipé de réglages ARCON (sortie automatique contrôlée par rampe), d'un optimiseur, d'un démarrage en douceur et d'un moniteur de sortie RF. La combinaison de ces éléments offre une grande souplesse dans l'optimisation et le contrôle du procédé. Crius I est équipé d'une unité de livraison de gaz in situ avancée. Cette machine se compose de quatre blocs de valve indépendants, chacun avec son propre transducteur de pression, ce qui permet d'initialiser et de régler rapidement et facilement le processus. L'outil de distribution de gaz permet un contrôle précis des entrées de gaz requises, telles que Ar, N2, O2, H2, SiH4, PH3, D2, et de nombreux autres gaz de traitement. AIXTRON Crius I est également équipé d'un actif de pompage à vide qui dispose d'un lecteur de fréquence variable ionique intégré (VFD) basé sur la conception. Cela permet des temps de pompage rapides et une efficacité globale plus grande par rapport aux pompes mécaniques. Le contrôleur CVI avancé de Crius I a été conçu pour automatiser et intégrer l'ensemble du modèle, donnant aux utilisateurs la possibilité de surveiller et de contrôler de nombreux paramètres associés au processus. Cela permet un démarrage rapide et des résultats de processus plus cohérents. En conclusion, AIXTRON Crius I est un réacteur de gravure avancé et performant qui offre une flexibilité et une fiabilité supérieures. La combinaison de sa chambre à quartz, de son générateur RF, de son équipement de distribution de gaz, de son système de pompage sous vide et de son contrôleur CVI permet d'obtenir une solution de gravure efficace et rentable pour une grande variété d'applications industrielles et de R&D.